| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 课题研究的背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 连接体材料的要求 | 第12-13页 |
| 1.3 国内外 SOFC 连接体材料研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3.1 陶瓷连接体 | 第13-14页 |
| 1.3.2 金属连接体 | 第14-16页 |
| 1.4 金属连接体改性 | 第16-22页 |
| 1.4.1 金属本体改性 | 第16页 |
| 1.4.2 金属表面改性 | 第16-22页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验方法 | 第24-35页 |
| 2.1 研究思路 | 第24页 |
| 2.2 磁控溅射 | 第24-29页 |
| 2.2.1 本底真空度和基板温度 | 第25页 |
| 2.2.2 基板负偏压和辉光清洗 | 第25-26页 |
| 2.2.3 靶材预溅射和靶材温度 | 第26页 |
| 2.2.4 靶基距和溅射气压 | 第26-27页 |
| 2.2.5 溅射功率和沉积速率 | 第27-29页 |
| 2.3 实验材料 | 第29-31页 |
| 2.3.1 靶材 | 第29-30页 |
| 2.3.2 基板 | 第30页 |
| 2.3.3 其他实验材料 | 第30页 |
| 2.3.4 实验设备 | 第30-31页 |
| 2.4 材料测试表征方法 | 第31-35页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜/能谱仪 | 第31-32页 |
| 2.4.2 X 射线衍射分析仪 | 第32页 |
| 2.4.3 聚焦离子束 | 第32页 |
| 2.4.4 氧化气氛下 ASR 测试 | 第32-33页 |
| 2.4.5 双气氛下 ASR 测试 | 第33-35页 |
| 第3章 膜层的制备与性能分析 | 第35-51页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 膜层的制备过程 | 第35-36页 |
| 3.3 膜层的表征 | 第36-43页 |
| 3.3.1 膜层表面形貌分析 | 第36-39页 |
| 3.3.2 膜层表面元素分析 | 第39-40页 |
| 3.3.3 横截面分析及元素分布情况 | 第40-43页 |
| 3.4 物相分析 | 第43-48页 |
| 3.4.1 理论相图分析 | 第43-45页 |
| 3.4.2 XRD 结果分析 | 第45-48页 |
| 3.5 膜层厚度分析 | 第48-50页 |
| 3.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 膜层 ASR 测试与优化研究 | 第51-61页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 膜层的性能测试 | 第51-58页 |
| 4.2.1 氧化时间对 800 nm 膜层的影响 | 第52-54页 |
| 4.2.2 氧化时间对 1500 nm 膜层的影响 | 第54-55页 |
| 4.2.3 氧化时间对 3000 nm 膜层的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.4 厚度对膜层的影响 | 第56-58页 |
| 4.3 膜层厚度优化研究 | 第58-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 膜层在双气氛下的性能 | 第61-66页 |
| 5.1 前言 | 第61页 |
| 5.2 膜层的氧化与还原 | 第61-62页 |
| 5.3 膜层的 ASR 测试 | 第62页 |
| 5.4 膜层物相分析 | 第62-64页 |
| 5.5 膜层表面形貌及元素分析 | 第64-65页 |
| 5.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及成果 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |