| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外发展动态 | 第10-13页 |
| 1.3 本文内容提要 | 第13-15页 |
| 第二章 宽禁带半导体器件 | 第15-20页 |
| 2.1 宽禁带半导体材料概述 | 第15-16页 |
| 2.2 GaN HEMT 器件概述 | 第16-17页 |
| 2.3 GaN HEMT 器件模型 | 第17-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 微波功率放大器设计基础 | 第20-30页 |
| 3.1 微波功率放大器的主要技术指标 | 第20-22页 |
| 3.1.1 工作频带 | 第20页 |
| 3.1.2 输出功率 | 第20页 |
| 3.1.3 稳定性 | 第20-21页 |
| 3.1.4 增益 | 第21页 |
| 3.1.5 效率 | 第21页 |
| 3.1.6 三阶交调系数与三阶截断点 | 第21-22页 |
| 3.2 影响微波功率放大器功率和效率的因素 | 第22-25页 |
| 3.2.1 膝点电压 | 第22-23页 |
| 3.2.2 漏极泄漏电流 | 第23页 |
| 3.2.3 直流电路 | 第23-24页 |
| 3.2.4 反馈 | 第24-25页 |
| 3.2.5 压缩特性 | 第25页 |
| 3.2.6 热稳定性 | 第25页 |
| 3.3 功率放大器的分类 | 第25-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 L 波段 GaN HEMT 功率放大器设计 | 第30-49页 |
| 4.1 L 波段功率放大器设计及整体仿真 | 第30-41页 |
| 4.1.1 直流特性分析 | 第30-31页 |
| 4.1.2 稳定性分析 | 第31-32页 |
| 4.1.3 直流偏置电路设计 | 第32-33页 |
| 4.1.4 负载牵引和源牵引 | 第33-35页 |
| 4.1.5 匹配网络设计 | 第35-41页 |
| 4.2 L 波段功率放大器版图与腔体设计 | 第41-42页 |
| 4.3 L 波段功率放大器测试与分析 | 第42-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 L 波段小型化 GaN HEMT 功率放大器设计 | 第49-74页 |
| 5.1 金属键合线的电特性 | 第49-53页 |
| 5.1.1 金属键合线建模分析 | 第50-51页 |
| 5.1.2 金属键合线三维场仿真 | 第51-53页 |
| 5.2 小型化功率放大器设计 | 第53-67页 |
| 5.2.1 管芯模型的建立 | 第54-55页 |
| 5.2.2 直流特性及稳定性分析 | 第55-56页 |
| 5.2.3 匹配电路设计 | 第56-58页 |
| 5.2.4 谐波平衡仿真及优化 | 第58-67页 |
| 5.3 小型化功率放大器版图及腔体设计 | 第67-68页 |
| 5.4 驱动模块的研制 | 第68-70页 |
| 5.5 小型化功率放大器测试与分析 | 第70-73页 |
| 5.6 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 结论 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第81-82页 |