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基于相变存储器的混合存储系统关键技术研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第1章 绪论第16-34页
    1.1 引言第16-18页
    1.2 研究背景第18-21页
    1.3 相变存储器第21-24页
        1.3.1 相变存储器的发展第21-22页
        1.3.2 相变存储器的工作原理和特征第22-24页
    1.4 国内外研究现状第24-30页
        1.4.1 PCM芯片级读写优化研究第24-25页
        1.4.2 基于PCM的混合存储系统研究第25-30页
    1.5 本文工作第30-32页
        1.5.1 研究意义第30-31页
        1.5.2 研究内容第31-32页
    1.6 本文组织结构第32-34页
第2章 基于读写倾向性划分的缓冲区置换算法第34-48页
    2.1 引言第34-35页
    2.2 相关研究工作第35-36页
    2.3 APP-LRU关键技术第36-42页
        2.3.1 APP-LRU总体架构第36-38页
        2.3.2 页面访问模式预测模型第38-39页
        2.3.3 页面替换和迁移策略第39-42页
    2.4 实验结果第42-45页
        2.4.1 实验设置第42页
        2.4.2 实验对比结果第42-45页
    2.5 本章小结第45-48页
第3章 基于写冷热划分的主存页面管理方法第48-64页
    3.1 引言第48-49页
    3.2 相关研究工作第49-50页
    3.3 W-HCLOCK的关键技术第50-58页
        3.3.1 基本思路第50-51页
        3.3.2 基本结构第51-54页
        3.3.3 页面迁移策略第54-56页
        3.3.4 页面管理策略第56-58页
    3.4 实验设计与分析第58-62页
        3.4.1 实验设计第58-59页
        3.4.2 实验对比结果第59-62页
    3.5 本章小结第62-64页
第4章 PCM主存空闲空间管理技术MH-BS第64-80页
    4.1 引言第64-65页
    4.2 相关工作第65-67页
    4.3 PCM主存空间管理设计第67-68页
    4.4 最小堆-伙伴系统MH-BS第68-74页
        4.4.1 MH-BS的数据结构第69-71页
        4.4.2 MH-BS主存空间分配与回收第71-74页
    4.5 实验设计与分析第74-77页
        4.5.1 实验设计第74-75页
        4.5.2 PCM页面写操作分布第75-77页
    4.6 本章小结第77-80页
第5章 设备级PCM存储子系统空间管理第80-102页
    5.1 引言第80-81页
    5.2 相关研究工作第81-83页
    5.3 PCM存储子系统的基本架构及其管理结构第83-86页
        5.3.1 PCM存储子系统基本结构第83-84页
        5.3.2 动态桶双链第84-86页
    5.4 PCM存储子系统空间管理策略第86-92页
        5.4.1 缓冲区管理策略第86-89页
        5.4.2 PCM空间管理算法第89-92页
    5.5 空间复杂度分析第92页
    5.6 实验设计与分析第92-100页
        5.6.1 实验设置第92-93页
        5.6.2 实验结果与分析第93-100页
    5.7 本章小结第100-102页
第6章 结束语第102-106页
    6.1 本文主要工作第102-103页
    6.2 本文的主要贡献和创新点第103-104页
    6.3 未来研究工作第104-106页
参考文献第106-112页
致谢第112-114页
在读期间发表的学术论文第114-115页
在读期间参加的科研项目第115页

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