可逆反应“MgB2MgB4”在先位制备MgB2超导材料中的应用及其超导性能研究
摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-33页 |
1.1 研究背景 | 第9页 |
1.2 超导材料的发展 | 第9-10页 |
1.3 超导的基本特性 | 第10-11页 |
1.3.1 零电阻 | 第10页 |
1.3.2 麦斯纳效应 | 第10页 |
1.3.3 同位素效应 | 第10-11页 |
1.4 超导体分类 | 第11-12页 |
1.5 二硼化镁超导性能的发现 | 第12-14页 |
1.6 二硼化镁的基本特性 | 第14-26页 |
1.6.1 晶体结构和双能隙 | 第14-15页 |
1.6.2 二硼化镁的超导性能 | 第15-18页 |
1.6.3 MgB_2超导体的磁通钉扎 | 第18-22页 |
1.6.4 增加MgB_2磁通钉扎中心的途径 | 第22页 |
1.6.5 二硼化镁超导体的晶粒连接 | 第22-26页 |
1.7 MgB_2前驱体 | 第26-28页 |
1.8 先位法制备MgB_2超导材料 | 第28-29页 |
1.9 MgB_2超导线(带)材的研究进展 | 第29-30页 |
1.10 MgB_2超导材料的应用前景 | 第30-31页 |
1.11 本文的研究思路 | 第31-33页 |
第2章 先位法制备MgB_2块体 | 第33-45页 |
2.1 引言 | 第33页 |
2.2 样品的制备及表征 | 第33-34页 |
2.3 样品相组成和结构特征分析 | 第34-39页 |
2.3.1 样品的相组成 | 第34-36页 |
2.3.2 样品的微观组织 | 第36-39页 |
2.4 样品的超导性能 | 第39-44页 |
2.4.1 MgB_2样品超导电阻率 | 第39-41页 |
2.4.2 MgB_2样品的临界电流密度J_c | 第41-42页 |
2.4.3 MgB_2样品的磁通钉扎性能 | 第42-44页 |
2.5 小结 | 第44-45页 |
第3章 两步烧结法制备先位MgB_2线材 | 第45-53页 |
3.1 引言 | 第45页 |
3.2 线材的制备以及烧结过程 | 第45-46页 |
3.3 样品的相组成 | 第46-47页 |
3.4 样品显微组织 | 第47-49页 |
3.5 样品的超导性能 | 第49-51页 |
3.5.1 样品的临界电流密度J_c | 第49-51页 |
3.5.2 样品的超导转变温度T_c | 第51页 |
3.6 小结 | 第51-53页 |
第4章 全文结论 | 第53-55页 |
参考文献 | 第55-59页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第59-61页 |
发表论文 | 第59页 |
发明专利 | 第59页 |
参与课题 | 第59-61页 |
致谢 | 第61-62页 |