| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 前言 | 第8-9页 |
| 1.2 ZnO压敏材料简介 | 第9-11页 |
| 1.3 SnO_2压敏材料简介 | 第11-13页 |
| 1.4 CaCu_3Ti_4O_(12)的研究与发展 | 第13-18页 |
| 1.4.1 CaCu_3Ti_4O_(12)的介电特性 | 第14-15页 |
| 1.4.2 CaCu_3Ti_4O_(12)的电流-电压特性 | 第15-18页 |
| 1.5 论文主要研究内容 | 第18-22页 |
| 第2章 薄膜的制备与性能表征 | 第22-28页 |
| 2.1 薄膜制备技术的发展 | 第22页 |
| 2.2 常见薄膜的制备方法 | 第22-24页 |
| 2.3 CCTO薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 2.3.1 CCTO前驱体的配制 | 第24-25页 |
| 2.3.2 CCTO薄膜的制备 | 第25页 |
| 2.4 CCTO薄膜的微观分析方法 | 第25-26页 |
| 2.5 CCTO薄膜的电学特性测试方法 | 第26-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 不同基底上CCTO薄膜的制备与分析 | 第28-40页 |
| 3.1 Pt/Ti/SiO_2/Si基底上CCTO薄膜的分析 | 第28-30页 |
| 3.1.1 Pt/Ti/SiO_2/Si基底上CCTO薄膜的微观表征 | 第28-29页 |
| 3.1.2 Pt/Ti/SiO_2/Si基底上CCTO薄膜的I-V特性 | 第29-30页 |
| 3.2 Si基底上的CCTO薄膜的分析 | 第30-32页 |
| 3.2.1 Si基底上CCTO薄膜的微观表征 | 第30-31页 |
| 3.2.2 Si基底上CCTO薄膜的I-V特性 | 第31-32页 |
| 3.3 LNO基底上的CCTO薄膜的分析 | 第32-35页 |
| 3.3.1 LNO基底的制备与微观表征 | 第32-34页 |
| 3.3.2 LNO基底上CCTO薄膜的I-V特性 | 第34-35页 |
| 3.4 CCTO薄膜非线性I-V特性的理论分析 | 第35-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 快速退火处理对CCTO薄膜的影响 | 第40-44页 |
| 4.1 RTP处理后CCTO薄膜的微观表征 | 第40-41页 |
| 4.2 RTP处理后CCTO薄膜的I-V特性 | 第41-42页 |
| 4.3 RTP对CCTO薄膜I-V特性的影响分析 | 第42-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 Ni离子掺杂对CCTO薄膜的影响 | 第44-48页 |
| 5.1 Ni离子掺杂的CCTO薄膜制备与微观表征 | 第44-45页 |
| 5.2 Ni离子掺杂的CCTO薄膜的I-V特性 | 第45-46页 |
| 5.3 Ni离子掺杂对CCTO薄膜I-V特性的影响分析 | 第46-47页 |
| 5.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第6章 CCTO薄膜的恢复迟滞特性 | 第48-52页 |
| 6.1 不同烧结温度下的恢复迟滞特性 | 第48-49页 |
| 6.2 RTP处理后的恢复迟滞特性 | 第49页 |
| 6.3 恢复迟滞特性的机理解释 | 第49-51页 |
| 6.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第7章 总结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
