GaN基紫光LED ITO透明电极透光率优化的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 前言 | 第16-22页 |
| 1.1 引论 | 第16-17页 |
| 1.2 国际现状与发展趋势 | 第17-20页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 LED发光强度的表征参量 | 第22-36页 |
| 2.1 GaN材料的基本性质 | 第22-24页 |
| 2.1.1 GaN的结构 | 第22-24页 |
| 2.1.2 GaN的化学性质 | 第24页 |
| 2.2 GaN材料的光电特性 | 第24-25页 |
| 2.2.1 GaN的电学性质 | 第24-25页 |
| 2.2.2 GaN的光学性质 | 第25页 |
| 2.3 GaN基LED的基本原理 | 第25-30页 |
| 2.3.1 GaN基LED的发光原理 | 第25-26页 |
| 2.3.2 GaN基LED外延的制备 | 第26-27页 |
| 2.3.3 GaN基LED芯片的结构 | 第27-28页 |
| 2.3.4 GaN基LED芯片的制备 | 第28页 |
| 2.3.5 GaN基LED电极的制备 | 第28-30页 |
| 2.4 光提取效率的影响因素及提升方法 | 第30-34页 |
| 2.4.1 GaN基LED芯片透光率的影响因素 | 第30-31页 |
| 2.4.2 光提取效率的提升方法 | 第31-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 ITO薄膜制备原理及工艺 | 第36-50页 |
| 3.1 ITO结构及性质 | 第36-40页 |
| 3.1.1 ITO薄膜的结构 | 第36-37页 |
| 3.1.2 ITO的导电原理 | 第37-38页 |
| 3.1.3 ITO的电学特性 | 第38页 |
| 3.1.4 ITO的光学特性 | 第38-40页 |
| 3.2 ITO透明电极的制备工艺 | 第40-44页 |
| 3.2.1 磁控溅射法 | 第40-41页 |
| 3.2.2 电子束热蒸发法 | 第41-42页 |
| 3.2.3 溶胶-凝胶法 | 第42-43页 |
| 3.2.4 化学气相沉积方法 | 第43页 |
| 3.2.5 真空蒸发镀膜法 | 第43-44页 |
| 3.2.6 喷射热分解法 | 第44页 |
| 3.3 ITO透明薄膜的测试方法 | 第44-48页 |
| 3.3.1 XRD | 第44-45页 |
| 3.3.2 SEM | 第45-46页 |
| 3.3.3 AFM | 第46-47页 |
| 3.3.4 四探针 | 第47-48页 |
| 3.3.5 台阶仪 | 第48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 ITO优化与LED发光强度的实验 | 第50-72页 |
| 4.1 LED管芯的制造 | 第50-52页 |
| 4.1.1 外延片的制备 | 第50页 |
| 4.1.2 管芯的制备 | 第50-52页 |
| 4.2 ITO厚度优化对LED发光强度的实验 | 第52-56页 |
| 4.2.1 ITO厚度优化实验原理 | 第52-54页 |
| 4.2.2 ITO减薄实验方案 | 第54-55页 |
| 4.2.3 ITO减薄实验结果及讨论 | 第55-56页 |
| 4.3 ITO快速退火对LED发光强度的实验 | 第56-66页 |
| 4.3.1 ITO快速退火技术实验原理 | 第56-58页 |
| 4.3.2 ITO快速退火技术实验方案 | 第58页 |
| 4.3.3 ITO快速退火结果及讨论 | 第58-66页 |
| 4.4 ITO粗化对LED发光强度的实验 | 第66-71页 |
| 4.4.1 ITO粗化技术实验原理 | 第66-68页 |
| 4.4.2 ITO粗化实验方案 | 第68页 |
| 4.4.3 ITO粗化结果及讨论 | 第68-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80页 |
