| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第13-39页 |
| 1.1 类石墨烯二硫化钼的基本性质与研究 | 第13-25页 |
| 1.1.1 类石墨烯二硫化钼的结构与性能 | 第13-16页 |
| 1.1.2 类石墨烯二硫化钼的制备方法 | 第16-20页 |
| 1.1.3 类石墨烯二硫化钼的应用 | 第20-25页 |
| 1.2 类石墨烯二硫化钼的界面修饰与低沸点溶剂分散 | 第25-31页 |
| 1.2.1 类石墨烯二硫化钼的巯基修饰及应用 | 第25-27页 |
| 1.2.2 类石墨烯二硫化钼的聚合物修饰及分散 | 第27-29页 |
| 1.2.3 类石墨烯二硫化钼在低沸点溶剂中的分散 | 第29-31页 |
| 1.3 二维材料在P3HT薄膜场效应晶体管中的应用 | 第31-37页 |
| 1.3.1 改善P3HT的结晶性能的研究 | 第31-36页 |
| 1.3.2 P3HT/二维材料的聚合物薄膜场效应晶体管 | 第36-37页 |
| 1.4 课题的提出和意义 | 第37-39页 |
| 2 正十二硫醇辅助二硫化钼的液相剥离及在氯仿中的分散 | 第39-52页 |
| 2.1 概述 | 第39-40页 |
| 2.2 实验部分 | 第40-42页 |
| 2.2.1 主要试剂和药品 | 第40页 |
| 2.2.2 实验方法 | 第40-42页 |
| 2.3 结果和讨论 | 第42-51页 |
| 2.3.1 正十二硫醇液相剥离本体二硫化钼的结果与表征 | 第42-44页 |
| 2.3.2 正十二硫醇/氯仿不同体积比对二硫化钼剥离浓度的影响 | 第44-45页 |
| 2.3.3 不同超声时间对二硫化钼剥离浓度的影响及剥离机理探究 | 第45-47页 |
| 2.3.4 溶剂交换后不同溶剂中的分散情况 | 第47-48页 |
| 2.3.5 溶剂交换后的表征 | 第48-51页 |
| 2.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 3 聚己基噻吩辅助类石墨烯二硫化钼液相剥离与在氯仿中的分散 | 第52-62页 |
| 3.1 概述 | 第52-53页 |
| 3.2 实验部分 | 第53-54页 |
| 3.2.1 实验试剂和原料 | 第53页 |
| 3.2.2 实验方法 | 第53页 |
| 3.2.3 实验表征 | 第53-54页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第54-61页 |
| 3.3.1 P3HT辅助类石墨烯二硫化钼的剥离及紫外吸收表征 | 第54-55页 |
| 3.3.2 类石墨烯二硫化钼的TEM表征 | 第55-56页 |
| 3.3.3 P3HT@MoS_2的拉曼表征 | 第56-57页 |
| 3.3.4 P3HT辅助剥离类石墨烯二硫化钼的机理预测 | 第57-58页 |
| 3.3.5 P3HT辅助剥离其他过渡金属硫族化合物的结果与表征 | 第58-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 4 二硫化钼调控聚己基噻吩结晶构建高迁移率晶体管 | 第62-75页 |
| 4.1 概述 | 第62-63页 |
| 4.2 实验部分 | 第63-65页 |
| 4.2.1 实验试剂和原料 | 第63页 |
| 4.2.2 P3HT/MoS_2复合物的制备 | 第63页 |
| 4.2.3 OTFT器件的制备和测试 | 第63-64页 |
| 4.2.4 实验表征 | 第64-65页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第65-74页 |
| 4.3.1 P3HT-MoS_2复合物的表征及P3HT聚集态的存在 | 第65-67页 |
| 4.3.2 基于复合物的OTFT器件性能 | 第67-69页 |
| 4.3.3 MoS_2辅助P3HT快速结晶的表征 | 第69-71页 |
| 4.3.4 不同含量的MoS_2对器件性能的影响及表征 | 第71-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 5 主要结论与创新点 | 第75-77页 |
| 5.1 主要结论 | 第75页 |
| 5.2 创新点 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 作者简历以及在学校期间所取得科研成果 | 第85页 |
