| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 Pd(Ⅱ)催化的Heck反应构建C(sp~2)-C(sp~2)键 | 第9-47页 |
| 1.1 前言 | 第9-15页 |
| 1.1.1 传统的合成取代烯胺的方法学研究 | 第9-12页 |
| 1.1.2 钯催化的烯胺芳基化反应构建取代烯胺 | 第12-15页 |
| 2.1 选题的意义 | 第15-16页 |
| 3.1 实验结果与讨论 | 第16-24页 |
| 3.1.1 最优反应条件的探索 | 第16-22页 |
| 3.1.2 反应普适性的研究 | 第22-24页 |
| 4.1 反应机理的探讨 | 第24-26页 |
| 5.1 本章小结 | 第26页 |
| 6.1 实验部分 | 第26-28页 |
| 6.1.1 取代烯胺酯的合成 | 第26-28页 |
| 6.1.2 取代烯胺酯芳基化的通用方法 | 第28页 |
| 7.1 原料和产物的结构表征 | 第28-40页 |
| 8.1 部分核磁谱图 | 第40-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 第二章 Pd(Ⅱ)催化的对惰性C(sp~3)-H键活化构建C(sp~3)-C(sp~2)键 | 第47-113页 |
| 1.1 前言 | 第47-67页 |
| 1.1.1 C(sp~3)-H芳基化构建C(sp~3)-C(sp~2)键的研究 | 第48-60页 |
| 1.1.2 非银条件下钯催化的对惰性C(sp~3)-H活化构建C(sp~3)-C(sp~2)键的研究 | 第60-67页 |
| 2.1 选题的意义 | 第67页 |
| 3.1 实验结果与讨论 | 第67-75页 |
| 3.1.1 最优反应条件的探索 | 第68-72页 |
| 3.1.2 反应普适性的研究 | 第72-75页 |
| 4.1 反应机理的分析 | 第75-80页 |
| 5.1 本章小结 | 第80页 |
| 6.1 实验部分 | 第80-82页 |
| 6.1.1 原料的合成 | 第80页 |
| 6.1.2 通用的芳基化实验步骤 | 第80-81页 |
| 6.1.3 方法学的合成应用 | 第81-82页 |
| 7.1 原料和产物的结构表征 | 第82-104页 |
| 8.1 部分核磁谱图 | 第104-107页 |
| 参考文献 | 第107-113页 |
| 第三章 Pd(Ⅱ)催化的对惰性C(sp~3)-H键的分子间胺化构建C(sp~3)-N键 | 第113-171页 |
| 1.1 前言 | 第113-125页 |
| 1.1.1 分子内C(sp~2)-N键生成的研究 | 第114-116页 |
| 1.1.2 分子内C(sp~3)-N键生成的研究 | 第116-119页 |
| 1.1.3 分子间C(sp~2)-N键生成的研究 | 第119-123页 |
| 1.1.4 分子间C(sp~3)-N键生成的研究 | 第123-125页 |
| 2.1 选题的意义 | 第125页 |
| 3.1 实验结果与讨论 | 第125-131页 |
| 3.1.1 最优反应条件的探索 | 第125-128页 |
| 3.1.2 反应普适性的研究 | 第128-131页 |
| 4.1 反应机理的探讨 | 第131-134页 |
| 5.1 本章小结 | 第134页 |
| 6.1 实验部分 | 第134-135页 |
| 6.1.1 反应原料的制备 | 第134-135页 |
| 6.1.2 通用的胺化反应步骤 | 第135页 |
| 7.1 原料和产物的结构表征 | 第135-164页 |
| 8.1 部分核磁谱图 | 第164-167页 |
| 参考文献 | 第167-171页 |
| 第四章 Cu(Ⅱ)/O_2介导的对惰性C(sp~3)-H键的分子间胺化构建C(sp~3)-N键 | 第171-211页 |
| 1.1 前言 | 第171-174页 |
| 2.1 选题的意义 | 第174页 |
| 3.1 实验结果与讨论 | 第174-180页 |
| 3.1.1 最佳反应条件的优化 | 第175-177页 |
| 3.1.2 反应普适性的考察 | 第177-180页 |
| 4.1 本章小结 | 第180-181页 |
| 5.1 实验部分 | 第181-182页 |
| 5.1.1 起始酰胺底物的合成 | 第181页 |
| 5.1.2 通用的胺化反应实验操作步骤 | 第181-182页 |
| 6.1 原料和产物的结构表征 | 第182-205页 |
| 7.1 部分核磁谱图 | 第205-209页 |
| 参考文献 | 第209-211页 |
| 附录Ⅰ 缩略语 | 第211-212页 |
| 附录Ⅱ 仪器和试剂 | 第212-213页 |
| 博士期间科研成果 | 第213-214页 |
| 致谢 | 第214-215页 |
