| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 薄膜晶体管简介 | 第9-12页 |
| 1.2 实验测试系统介绍 | 第12-14页 |
| 1.3 半导体器件电容测量 | 第14-18页 |
| 1.4 本文的主要工作及论文结构安排 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 薄膜晶体管CV特性 | 第22-40页 |
| 2.1 MOS结构电容器件CV特性 | 第23-28页 |
| 2.2 薄膜晶体管CV特性 | 第28-30页 |
| 2.3 TFT CV特性的应用—基于CV测量的IGZO结构参数提取 | 第30-38页 |
| 2.3.1 实验样品a-IGZO TFT的制备 | 第31页 |
| 2.3.2 TFT结构和相关电容分布 | 第31-33页 |
| 2.3.3 CV测量和参数提取 | 第33-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第三章 薄膜晶体管CV模型 | 第40-64页 |
| 3.1 CV模型研究背景 | 第40-42页 |
| 3.2 实验样品p型p-Si TFT的制备 | 第42-43页 |
| 3.3 栅电容Cgc模型的分析 | 第43-52页 |
| 3.3.1 静态CV模型 | 第43-46页 |
| 3.3.2 频率依赖的陷阱电荷模型 | 第46-51页 |
| 3.3.3 传输线模型 | 第51-52页 |
| 3.4 模型拟合和分析 | 第52-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第四章 结论及未来工作 | 第64-66页 |
| 4.1 本文结论 | 第64页 |
| 4.2 未来工作 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |