| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 课题来源及研究意义 | 第8-11页 |
| 1.2 课题研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 透明导电氧化物薄膜的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 InGaZnO薄膜研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 薄膜的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.3.1 化学气相沉积 | 第14-15页 |
| 1.3.2 磁控溅射 | 第15页 |
| 1.3.3 脉冲激光沉积 | 第15页 |
| 1.4 课题研究的主要内容 | 第15-17页 |
| 第2章 薄膜制备原理与研究方法 | 第17-27页 |
| 2.1 脉冲激光沉积法 | 第17-22页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积过程 | 第17-18页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积原理 | 第18-20页 |
| 2.1.3 脉冲激光法沉积陶瓷薄膜 | 第20-22页 |
| 2.2 分析测试方法 | 第22-26页 |
| 2.2.1 傅里叶变换红外光谱仪 | 第22页 |
| 2.2.2 四探针测试仪 | 第22-24页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第24页 |
| 2.2.4 掠入射X射线衍射 | 第24-25页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱 | 第25-26页 |
| 2.2.6 纳米压痕 | 第26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 InGaZnO薄膜的制备 | 第27-37页 |
| 3.1 靶材的制备 | 第27-28页 |
| 3.2 脉冲激光沉积系统 | 第28-30页 |
| 3.2.1 准分子激光器 | 第28-29页 |
| 3.2.2 光学系统 | 第29页 |
| 3.2.3 生长室系统 | 第29-30页 |
| 3.2.4 抽气供气系统 | 第30页 |
| 3.2.5 控制系统 | 第30页 |
| 3.3 薄膜的制备 | 第30-36页 |
| 3.3.1 制备薄膜的工艺流程 | 第30-31页 |
| 3.3.2 薄膜生长过程 | 第31-33页 |
| 3.3.3 制备薄膜的参数选择 | 第33-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 低浓度掺杂InGaZnO薄膜的性能测试与分析 | 第37-51页 |
| 4.1 薄膜生长结构测试与分析 | 第37-40页 |
| 4.2 薄膜表面形貌观察 | 第40-43页 |
| 4.3 薄膜厚度的测量与分析 | 第43-44页 |
| 4.4 薄膜的电学性能测试结果与分析 | 第44-47页 |
| 4.5 薄膜的光学性能测试结果与分析 | 第47-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 高浓度混合InGaZnO薄膜的性能测试与分析 | 第51-82页 |
| 5.1 薄膜生长结构测试与分析 | 第52-53页 |
| 5.2 薄膜表面形貌观察 | 第53-57页 |
| 5.3 薄膜厚度的测量与分析 | 第57-60页 |
| 5.4 薄膜组分测试与分析 | 第60-72页 |
| 5.5 薄膜的电学性能测试结果与分析 | 第72-73页 |
| 5.6 薄膜的光学性能测试结果与分析 | 第73-76页 |
| 5.7 薄膜的力学性能测试结果与分析 | 第76-80页 |
| 5.8 本章小结 | 第80-82页 |
| 结论 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-91页 |
| 致谢 | 第91页 |