| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-18页 |
| ·课题研究背景 | 第10-11页 |
| ·课题研究意义及目的 | 第11-15页 |
| ·多晶硅薄膜的研究现状 | 第15-17页 |
| ·直接制备法 | 第15-16页 |
| ·间接制备法 | 第16-17页 |
| ·本论文的主要工作内容及其意义 | 第17-18页 |
| 第二章 多晶硅薄膜及其主要应用 | 第18-25页 |
| ·多晶硅薄膜的结构特性 | 第18页 |
| ·多晶硅薄膜的电学性质 | 第18-20页 |
| ·多晶硅薄膜的光学性质 | 第20-23页 |
| ·多晶硅薄膜的折射率和吸收系数 | 第20-22页 |
| ·多晶硅薄膜的光电导 | 第22-23页 |
| ·多晶硅薄膜的主要应用 | 第23-25页 |
| 第三章 多晶硅薄膜的Ni 诱导制备 | 第25-39页 |
| ·金属诱导晶化制备多晶硅薄膜机理 | 第25-26页 |
| ·金属诱导机制 | 第25页 |
| ·铝诱导和镍诱导的不同 | 第25-26页 |
| ·制备过程设计 | 第26-27页 |
| ·衬底准备 | 第27页 |
| ·非晶硅薄膜制备 | 第27-32页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD)原理 | 第27-28页 |
| ·PECVD 系统 | 第28-29页 |
| ·PECVD 沉膜过程 | 第29-30页 |
| ·非晶硅薄膜沉积参数 | 第30页 |
| ·膜厚测试 | 第30-32页 |
| ·Ni 膜制备 | 第32-38页 |
| ·真空热蒸发镀膜的原理 | 第32页 |
| ·真空热蒸发镀膜设备 | 第32-33页 |
| ·Ni 膜蒸镀 | 第33-36页 |
| ·Ni 膜厚度测试 | 第36-38页 |
| ·退火处理 | 第38页 |
| ·样品测试 | 第38-39页 |
| 第四章 Ni 诱导晶化法制备多晶硅薄膜影响因素的分析 | 第39-61页 |
| ·晶化起始温度的确定 | 第39-40页 |
| ·制备参数 | 第39页 |
| ·样品SEM 测试与分析 | 第39-40页 |
| ·退火时间对薄膜晶化的影响 | 第40-47页 |
| ·制备参数 | 第40-41页 |
| ·样品SEM 测试与分析 | 第41-43页 |
| ·样品XRD 测试与分析 | 第43-44页 |
| ·退火时间对晶粒尺寸的影响 | 第44-46页 |
| ·退火时间对结晶度的影响 | 第46-47页 |
| ·退火温度对薄膜晶化的影响 | 第47-55页 |
| ·制备参数 | 第47-48页 |
| ·样品SEM 测试与分析 | 第48-50页 |
| ·样品XRD 测试与分析 | 第50-51页 |
| ·样品EDS 测试与分析 | 第51-52页 |
| ·退火温度对晶粒尺寸的影响 | 第52-53页 |
| ·退火温度对薄膜结晶度的影响 | 第53-55页 |
| ·退火后薄膜的光学特性 | 第55-58页 |
| ·测试设备 | 第55页 |
| ·薄膜透过率 | 第55-56页 |
| ·薄膜吸收系数 | 第56-58页 |
| ·不同衬底材料对薄膜制备的影响 | 第58-61页 |
| ·制备参数 | 第58-59页 |
| ·结果讨论 | 第59-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 在学期间的研究成果 | 第67-68页 |