| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·选题背景 | 第10-12页 |
| ·研究意义 | 第12-13页 |
| ·本课题主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 氧化锌的基本性质及应用 | 第14-26页 |
| ·氧化锌的基本性质 | 第14-18页 |
| ·结构性质 | 第14-15页 |
| ·电学性质 | 第15-16页 |
| ·光学性质 | 第16-18页 |
| ·AZO 膜、ZnO 纳米阵列的基本应用 | 第18-23页 |
| ·透明导电薄膜 | 第19页 |
| ·场发射器件 | 第19-20页 |
| ·压电器件 | 第20-21页 |
| ·发光二极管 | 第21-22页 |
| ·薄膜晶体管 | 第22-23页 |
| ·AZO 膜、ZnO 纳米阵列在太阳能电池方面的应用 | 第23-26页 |
| ·染料敏化电池(DSSC) | 第24-25页 |
| ·PN 结太阳能电池 | 第25-26页 |
| 第三章 薄膜生长及表征方法 | 第26-36页 |
| ·薄膜生长机理 | 第26-27页 |
| ·薄膜中的缺陷 | 第27-28页 |
| ·薄膜中的应力 | 第28-30页 |
| ·应力类型 | 第28-29页 |
| ·应力测量 | 第29-30页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第30-35页 |
| ·溅射及磁控溅射 | 第30-31页 |
| ·直流磁控溅射原理 | 第31-32页 |
| ·晶体的水热法生长 | 第32-34页 |
| ·氧化锌的水热生长过程 | 第34-35页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第35-36页 |
| 第四章 AZO 膜、ZnO 纳米阵列制备工艺研究 | 第36-60页 |
| ·直流反应磁控溅射AZO 薄膜 | 第36-49页 |
| ·实验设计 | 第37-38页 |
| ·材料和基片的准备 | 第37页 |
| ·工艺参数及实验步骤设计 | 第37-38页 |
| ·结果讨论 | 第38-49页 |
| ·氧气浓度对AZO 薄膜性质的影响 | 第40-43页 |
| ·溅射功率（V，I）对AZO 薄膜性质的影响 | 第43-45页 |
| ·基片温度对AZO 薄膜性质的影响 | 第45-48页 |
| ·气体流量对AZO 薄膜光电性质的影响 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49页 |
| ·水热法制备氧化锌纳米阵列 | 第49-57页 |
| ·实验设计 | 第50页 |
| ·材料及设备 | 第50页 |
| ·实验过程 | 第50页 |
| ·结果讨论 | 第50-57页 |
| ·乙酸锌溶液中ZnO 纳米阵列的形貌特征 | 第51-53页 |
| ·HMT 乙酸锌混合溶液中ZnO 纳米阵列的形貌特征 | 第53-55页 |
| ·生长工艺对ZnO 纳米阵列形貌特征的影响 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| ·AZO+ZnO 纳米阵列复合膜的光电性质 | 第58-60页 |
| ·电学性质 | 第58-59页 |
| ·光学性质 | 第59-60页 |
| 第五章 glass/AZO/nc-ZnO/a-Si/M 太阳能电池探索 | 第60-76页 |
| ·非晶硅材料 | 第60-62页 |
| ·a-Si:H 的电学性质 | 第60-61页 |
| ·非晶态硅能带结构 | 第60-61页 |
| ·非晶硅的掺杂 | 第61页 |
| ·a-Si:H 的光学性质 | 第61-62页 |
| ·异质结能带特点 | 第62-63页 |
| ·glass/AZO/nc-ZnO/a-Si/M 电池结构与分析 | 第63-76页 |
| ·结构分析 | 第63-64页 |
| ·电学分析 | 第64-70页 |
| ·静电特性 | 第64-67页 |
| ·伏安特性 | 第67页 |
| ·光伏特性 | 第67-70页 |
| ·光学分析 | 第70-74页 |
| ·光线传播 | 第70-73页 |
| ·光的吸收 | 第73-74页 |
| ·小结 | 第74页 |
| ·电池设计 | 第74-76页 |
| ·影响电池效率的因素 | 第74-75页 |
| ·设计要求 | 第75-76页 |
| 第六章 总结 | 第76-78页 |
| ·论文的总结 | 第76-77页 |
| ·存在的问题及建议 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-86页 |
| 个人简历 | 第86页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第86-87页 |
