Si基底石墨烯FET的制备工艺研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.2 石墨烯的性能表征 | 第8-13页 |
| 1.3 石墨烯的应用 | 第13-14页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第14-16页 |
| 2 CVD 制备石墨烯的转移和性能表征 | 第16-29页 |
| 2.1 石墨烯的制备方法 | 第16-18页 |
| 2.2 CVD 制备石墨烯的转移方法 | 第18-22页 |
| 2.3 转移后石墨烯的性能表征 | 第22-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 3 石墨烯 FET 的制备 | 第29-49页 |
| 3.1 石墨烯 FET 制备工艺的研究 | 第29-33页 |
| 3.2 石墨烯的图形化加工 | 第33-37页 |
| 3.3 背栅石墨烯 FET 的制备 | 第37-42页 |
| 3.4 双栅石墨烯 FET 的制备 | 第42-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 4 石墨烯 FET 的性能研究 | 第49-65页 |
| 4.1 石墨烯 FET 的原理 | 第49-50页 |
| 4.2 栅介质层的性能研究 | 第50-52页 |
| 4.3 背栅石墨烯 FET 的电学性能研究 | 第52-61页 |
| 4.4 工艺过程对石墨烯的影响 | 第61-63页 |
| 4.5 双栅结构石墨烯 FET 的电学性能 | 第63-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 5 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 工作总结 | 第65-66页 |
| 5.2 工作展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
