摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
1 绪论 | 第10-14页 |
1.1 σ–hole | 第10页 |
1.2 分子间弱相互作用-卤键,氢键,锂键和硫键 | 第10-14页 |
1.2.1 氢键(H-bond) | 第10-11页 |
1.2.2 卤键(Hal-bond) | 第11-12页 |
1.2.3 锂键(Li-bond) | 第12页 |
1.2.4 硫键(Chal-bond) | 第12-13页 |
1.2.5 卤键(Hal-bond),氢键(H-bond)和锂键(Li-bond)的方向特性 | 第13-14页 |
2 理论基础 | 第14-18页 |
2.1 分子静电势分析 | 第14-15页 |
2.2 电子密度拓扑分析 | 第15-17页 |
2.3 能量分解 | 第17页 |
2.4 NBO自然键轨道分析 | 第17-18页 |
3 HOOOH和XF (X=Cl,Br,H,Li)参与的卤键、氢键、锂键方向性质的研究 | 第18-26页 |
3.1 计算方法 | 第18页 |
3.2 HOOOH和XF(X= Cl, Br, H, Li)的分子静电势 | 第18-22页 |
3.3 HOOOH和XF (X = Cl, Br, H, Li)中的卤键、氢键、锂键 | 第22-25页 |
3.4 总结 | 第25-26页 |
4 MO_n..·R(M = O, S, Se; n = 2, 4; R = NCH, NH_3, OH_2, FCl)体系中的硫键作用 | 第26-34页 |
4.1 计算方法 | 第26页 |
4.2 分子静电势分析 | 第26-27页 |
4.3 能量分解 | 第27-30页 |
4.4 自然键轨道(NBO)分析 | 第30-31页 |
4.5 电子密度拓扑分析(AIM)分析 | 第31-33页 |
4.6 总结 | 第33-34页 |
5 卤离子对卤键的加强作用的理论研究[77] | 第34-40页 |
5.1 计算方法 | 第34页 |
5.2 分子表面静电势 | 第34-35页 |
5.3 复合物的几何构型和相互作用能 | 第35-36页 |
5.4 卤键的电子密度拓扑分析(AIM分析) | 第36-38页 |
5.5 总结 | 第38-40页 |
参考文献 | 第40-46页 |
攻读学位期间取得的科研成果 | 第46-47页 |
致谢 | 第47页 |