| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 文献综述 | 第11-27页 |
| 1.1 NO_x的形成及危害 | 第11-14页 |
| 1.1.1 氮氧化物(NO_x)的形成机理 | 第11-13页 |
| 1.1.2 氮氧化物(NO_x)的危害 | 第13-14页 |
| 1.2 氮氧化物(NO_x)控制技术 | 第14-17页 |
| 1.2.1 湿法脱硝技术 | 第15页 |
| 1.2.2 干法脱硝技术 | 第15-17页 |
| 1.3 NH_3-SCR脱硝技术 | 第17-19页 |
| 1.3.1 NH_3-SCR化学反应 | 第18页 |
| 1.3.2 NH_3-SCR反应机理 | 第18-19页 |
| 1.4 SCR催化剂的研究现状 | 第19-25页 |
| 1.4.1 沸石分子筛催化剂 | 第19-20页 |
| 1.4.2 贵金属催化剂 | 第20页 |
| 1.4.3 金属氧化物催化剂 | 第20-25页 |
| 1.4.3.1 钒基催化剂 | 第21-22页 |
| 1.4.3.2 锰铈基催化剂 | 第22-25页 |
| 1.5 球状活性炭(SAC)在NH_3-SCR技术中的应用 | 第25-26页 |
| 1.6 课题的提出及内容 | 第26-27页 |
| 第2章 实验原料、设备及分析表征 | 第27-30页 |
| 2.1 原料及试剂 | 第27-28页 |
| 2.2 主要设备及仪器 | 第28页 |
| 2.3 分析表征 | 第28-29页 |
| 2.3.1 氮气吸附(BET) | 第28页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第28页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第28页 |
| 2.3.4 NH_3程序升温脱附(NH_3-TPD) | 第28页 |
| 2.3.5 H_2程序升温还原(H_2-TPR) | 第28-29页 |
| 2.4 脱硝活性评价 | 第29-30页 |
| 第3章 SnO_x对CeO_2-MnO_x/SAC催化剂的低温脱硝行为的影响 | 第30-43页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 实验部分 | 第30页 |
| 3.2.1 催化剂的制备 | 第30页 |
| 3.2.2 催化剂的脱硝活性评价 | 第30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-41页 |
| 3.3.1 球状CeO_2-MnO_x/SAC、SnO_x-CeO_2-MnO_x/SAC催化剂的脱硝活性比较 | 第30-31页 |
| 3.3.2 Sn/Mn摩尔比对SnO_x-CeO_2-MnO_x/SAC催化剂脱硝活性的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.3 比表面积和孔结构表征 | 第32-33页 |
| 3.3.4 XRD表征 | 第33-34页 |
| 3.3.5 XPS表征 | 第34-36页 |
| 3.3.6 NH_3-TPD表征 | 第36-37页 |
| 3.3.7 H_2-TPR表征 | 第37-38页 |
| 3.3.8 SO_2对SnO_x-CeO_2-MnO_x/SAC催化剂脱硝活性的影响 | 第38页 |
| 3.3.9 SO_2对催化剂脱硝活性的影响机制 | 第38-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 SnO_x-CeO_2/SAC催化剂的低温脱硝行为及抗硫性能 | 第43-56页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 实验部分 | 第43页 |
| 4.2.1 催化剂的制备 | 第43页 |
| 4.2.2 催化剂的活性评价 | 第43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-54页 |
| 4.3.1 CeO_2/SAC、SnO_x/SAC和SnO_x-CeO_2/SAC催化剂脱硝活性的比较 | 第43-44页 |
| 4.3.2 不同Sn/Ce摩尔比对SnO_x-CeO_2/SAC催化剂的脱硝活性影响 | 第44-45页 |
| 4.3.3 比表面积和孔结构表征 | 第45-46页 |
| 4.3.4 XRD表征 | 第46-47页 |
| 4.3.5 XPS表征 | 第47-49页 |
| 4.3.6 H_2-TPR表征 | 第49-50页 |
| 4.3.7 SO_2对CeO_2/SAC和SnO_x-CeO_2/SAC催化剂脱硝活性的影响 | 第50-51页 |
| 4.3.9 SO_2对催化剂脱硝活性的影响机制 | 第51-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 课题总结及展望 | 第56-58页 |
| 5.1 课题总结 | 第56-57页 |
| 5.2 课题创新性 | 第57页 |
| 5.3 工作展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附录 | 第65页 |
