| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第15-33页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 二维MoS_2的基本物性 | 第16-18页 |
| 1.2.1 晶体和电子结构 | 第16页 |
| 1.2.2 光电学物理性质 | 第16-18页 |
| 1.3 二维MoS_2的化学气相沉积法制备 | 第18-24页 |
| 1.3.1 热分解硫代硫酸盐 | 第18-19页 |
| 1.3.2 硫化Mo(MoO_(3-x))薄膜法 | 第19-20页 |
| 1.3.3 MoO_(3-x)粉体与硫属前驱物气相反应法 | 第20-23页 |
| 1.3.4 二维薄膜异质结构的制备 | 第23-24页 |
| 1.4 二维MoS_2在电子器件上的应用 | 第24-30页 |
| 1.4.1 场效应晶体管 | 第24-26页 |
| 1.4.2 光电探测器 | 第26-27页 |
| 1.4.3 柔性电子器件 | 第27-29页 |
| 1.4.4 二维薄膜的异质结器件 | 第29-30页 |
| 1.4.5 传感器及能量转换 | 第30页 |
| 1.5 本论文的研究内容及创新点 | 第30-33页 |
| 第二章 大面积单层MoS_2薄膜的化学气相沉积法制备 | 第33-56页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 钼箔上CVD制备MoS_2薄膜 | 第33-40页 |
| 2.2.1 钼箔的表面处理 | 第33-36页 |
| 2.2.2 CVD生长MoS_2薄膜 | 第36-38页 |
| 2.2.3 MoS_2/Mo片氧化观察法判断MoS_2薄膜的连续及均匀性 | 第38-40页 |
| 2.3 MoS_2薄膜的转移及其质量表征 | 第40-47页 |
| 2.3.1 MoS_2薄膜转移至SiO2/Si基底上 | 第41-42页 |
| 2.3.2 MoS_2薄膜的质量表征 | 第42-47页 |
| 2.4 生长条件对制备大面积单层MoS_2薄膜的影响 | 第47-51页 |
| 2.4.1 钼箔质量对制备单层MoS_2薄膜的影响 | 第47-48页 |
| 2.4.2 硫粉重量对制备单层MoS_2薄膜的影响 | 第48-49页 |
| 2.4.3 生长温度和时间对制备单层MoS_2薄膜的影响 | 第49-51页 |
| 2.5 钼箔上制备MoS_2薄膜的生长机理 | 第51-54页 |
| 2.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 第三章 多层MoS_2薄膜的制备及其电化学析氢性能 | 第56-69页 |
| 3.1 引言 | 第56页 |
| 3.2 钼箔表面的高温氧化反应 | 第56-58页 |
| 3.3 多层MoS_2薄膜的制备 | 第58-62页 |
| 3.4 多层MoS_2薄膜的质量表征 | 第62-66页 |
| 3.5 多层MoS_2薄膜的电化学析氢性能研究 | 第66-67页 |
| 3.6 本章小结 | 第67-69页 |
| 第四章 MoS_2薄膜的光电器件研究 | 第69-82页 |
| 4.1 引言 | 第69-70页 |
| 4.2 MoS_2场效应晶体管 | 第70-73页 |
| 4.2.1 背栅MoS_2场效应晶体管的构筑 | 第70-71页 |
| 4.2.2 MoS_2场效应晶体管电学性能的测试及分析 | 第71-73页 |
| 4.3 单层MoS_2光电晶体管 | 第73-76页 |
| 4.3.1 单层MoS_2光电晶体管的构筑 | 第73-74页 |
| 4.3.2 单层MoS_2光电晶体管的光电探测性能与分析 | 第74-76页 |
| 4.4 MoS_2-Si异质结构光电探测器 | 第76-80页 |
| 4.4.1 MoS_2-Si垂直异质结构光电探测器的搭建 | 第76-77页 |
| 4.4.2 MoS_2-Si光电探测器的性能测试与分析 | 第77-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 总结和展望 | 第82-84页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第82-83页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 攻读硕士学位期间发表（录用）论文情况 | 第93页 |
