| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 可变反射率镜研究的背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.1.1 研究背景和研究意义 | 第9页 |
| 1.1.2 可变反射率镜国内外研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2 VO_2的相变特性及应用 | 第10-15页 |
| 1.2.1 VO_2的相变特性 | 第10-12页 |
| 1.2.2 VO_2的应用 | 第12-14页 |
| 1.2.3 VO_2薄膜制备及应用中存在的问题 | 第14-15页 |
| 1.3 基于VO_2薄膜的可变反射率镜背景分析 | 第15-17页 |
| 1.3.1 基于VO_2薄膜的可变反射率镜简介 | 第15-16页 |
| 1.3.2 基于VO_2薄膜的可变反射率镜的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 论文主要研究内容和创新点 | 第17-18页 |
| 第二章 VO_2薄膜的相变理论及制备表征方法 | 第18-27页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 VO_2晶体结构和相变机理 | 第18-20页 |
| 2.2.1 VO_2的晶体结构 | 第18-19页 |
| 2.2.2 VO_2的相变机理 | 第19-20页 |
| 2.3 VO_2薄膜的制备 | 第20-23页 |
| 2.3.1 脉冲激光沉积 | 第21页 |
| 2.3.2 溶胶-凝胶法 | 第21页 |
| 2.3.3 溅射法 | 第21-23页 |
| 2.4 VO_2薄膜的表征方法 | 第23-27页 |
| 2.4.1 X射线衍射（XRD） | 第23页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第23-24页 |
| 2.4.3 四探针测电阻 | 第24-25页 |
| 2.4.4 分光光度计 | 第25页 |
| 2.4.5 椭圆偏振技术（SE） | 第25-27页 |
| 第三章 直流反应磁控制备VO_2薄膜及其性能研究 | 第27-46页 |
| 3.1 基底温度对VO_2薄膜光电性能影响 | 第28-37页 |
| 3.2 基底偏压对钨掺杂VO_2薄膜光电特性影响 | 第37-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 ZnO缓冲层诱导生长VO_2薄膜研究 | 第46-70页 |
| 4.1 ZnO缓冲层厚度对VO_2薄膜光电特性影响 | 第46-59页 |
| 4.2 基底偏压对ZnO缓冲层上沉积VO_2薄膜光电特性影响 | 第59-68页 |
| 4.3 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 基于VO_2薄膜的可变反射率镜设计与制备 | 第70-77页 |
| 5.1 基于VO_2薄膜相变特性的可变反射率镜结构示意图 | 第70-71页 |
| 5.2 VO_2薄膜光学常数的测定 | 第71-73页 |
| 5.3 可变反射率镜膜系设计 | 第73-74页 |
| 5.4 可变反射率镜制备与表征 | 第74-76页 |
| 5.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 全文总结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第86页 |
