致谢 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-10页 |
ABSTRACT | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第18-27页 |
1.1 g-C_3N_4的概述 | 第18-20页 |
1.1.1 g-C_3N_4的结构 | 第18-19页 |
1.1.2 g-C_3N_4的光催化机理 | 第19页 |
1.1.3 g-C_3N_4的制备 | 第19-20页 |
1.2 g-C_3N_4的修饰改性 | 第20-25页 |
1.2.1 g-C_3N_4修饰改性的必要性 | 第20页 |
1.2.2 g-C_3N_4基复合半导体设计理念 | 第20-21页 |
1.2.3 g-C_3N_4基复合半导体的种类 | 第21-25页 |
1.2.3.1 非金属/g-C_3N_4复合半导体 | 第21页 |
1.2.3.2 贵金属/g-C_3N_4复合半导体 | 第21-22页 |
1.2.3.3 单金属(氧化物/硫化物)/g-C_3N_4复合半导体 | 第22-23页 |
1.2.3.4 多金属氧化物/g-C_3N_4复合半导体 | 第23-24页 |
1.2.3.5 复杂体系/g-C_3N_4复合半导体 | 第24-25页 |
1.3 选题的意义及主要内容 | 第25-27页 |
第二章 实验部分 | 第27-33页 |
2.1 实验试剂 | 第27页 |
2.2 实验仪器和设备 | 第27-28页 |
2.3 样品的制备 | 第28-30页 |
2.3.1 g-C_3N_4的制备 | 第28页 |
2.3.2 MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备 | 第28-29页 |
2.3.2.1 MoS_2的制备 | 第28-29页 |
2.3.2.2 MoS_2纳米片与g-C_3N_4的复合 | 第29页 |
2.3.3 NiS/g-C_3N_4复合半导体和NiS/MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备 | 第29-30页 |
2.3.3.1 NiS与g-C_3N_4的复合 | 第29页 |
2.3.3.2 MoS_2与NiS/g-C_3N_4化合物的复合 | 第29-30页 |
2.4 样品的结构和形貌的表征 | 第30-31页 |
2.4.1 X射线衍射分析(XRD) | 第30页 |
2.4.2 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第30页 |
2.4.3 扫描电镜分析(SEM) | 第30页 |
2.4.4 透射电镜分析(TEM) | 第30-31页 |
2.4.5 能谱分析(EDS) | 第31页 |
2.4.6 傅里叶红外光谱分析(FT-IR) | 第31页 |
2.4.7 紫外-可见光谱分析(UV-Vis) | 第31页 |
2.5 样品的光催化性能检测 | 第31-33页 |
第三章 MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备及光催化性能的研究 | 第33-47页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备 | 第33-34页 |
3.3 结果与讨论 | 第34-45页 |
3.3.1 晶体结构及微观形貌表征 | 第34-38页 |
3.3.2 光吸收性能 | 第38-39页 |
3.3.3 光催化性能 | 第39-44页 |
3.3.4 光催化机理 | 第44-45页 |
3.4 本章总结 | 第45-47页 |
第四章 NiS/g-C_3N_4及NiS/MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备及光催化性能的研究 | 第47-60页 |
4.1 引言 | 第47页 |
4.2 NiS/MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备 | 第47-48页 |
4.3 结果与讨论 | 第48-59页 |
4.3.1 晶体结构及微观形貌表征 | 第48-52页 |
4.3.2 光吸收性能 | 第52-54页 |
4.3.3 光催化性能 | 第54-57页 |
4.3.4 光催化机理 | 第57-59页 |
4.4 本章总结 | 第59-60页 |
第五章 g-C_3N_4/g-C_3N_4同质复合半导体的制备及光催化性能的研究 | 第60-66页 |
5.1 引言 | 第60页 |
5.2 g-C_3N_4/g-C_3N_4同质复合半导体的制备 | 第60-61页 |
5.3 结果与讨论 | 第61-65页 |
5.3.1 结构表征 | 第61-63页 |
5.3.2 光催化性能 | 第63-64页 |
5.3.3 光催化机理 | 第64-65页 |
5.4 本章总结 | 第65-66页 |
第六章 全文总结与展望 | 第66-68页 |
6.1 全文总结 | 第66-67页 |
6.2 工作展望 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-78页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第78页 |