摘要 | 第4-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第13-24页 |
1.1 引言 | 第13-15页 |
1.2 TiO_2的结构特性 | 第15-17页 |
1.2.1 TiO_2的晶体结构 | 第15-16页 |
1.2.2 TiO_2的能带结构 | 第16-17页 |
1.2.3 TiO_2晶体表面结构 | 第17页 |
1.3 TiO_2光催化应用 | 第17-19页 |
1.3.1 半导体催化机理 | 第17-18页 |
1.3.2 TiO_2光催化材料研究现状 | 第18-19页 |
1.4 等离子体PECVD法制备TiO_2薄膜 | 第19-22页 |
1.4.1 低气压下射频等离子体PECVD法制备TiO_2现状 | 第19-20页 |
1.4.2 常压射频等离子体PECVD法TiO_2现状 | 第20页 |
1.4.3 脉冲调制射频等离子体PECVD法制备TiO_2现状与特点 | 第20-22页 |
1.5 本文研究意义及内容 | 第22-24页 |
1.5.1 研究意义 | 第22-23页 |
1.5.2 研究内容 | 第23-24页 |
第二章 实验部分 | 第24-36页 |
2.1 实验装置系统构成 | 第24-27页 |
2.1.1 实验装置简介 | 第24页 |
2.1.2 气路系统 | 第24-25页 |
2.1.3 真空系统 | 第25页 |
2.1.4 反应腔体 | 第25-27页 |
2.1.5 射频系统 | 第27页 |
2.2 系统操作步骤 | 第27-30页 |
2.2.2 沉积实验流程 | 第27-28页 |
2.2.3 冷却水系统的开通 | 第28页 |
2.2.4 气路的开通 | 第28-29页 |
2.2.5 起辉及等离子体产生及电极加热系统 | 第29页 |
2.2.6 水冷电极时的沉积过程 | 第29页 |
2.2.7 加热电极时的沉积过程 | 第29-30页 |
2.3 脉冲调制下非平衡等离子体诊断 | 第30-32页 |
2.3.1 电流-电压曲线 | 第31-32页 |
2.3.2 脉冲调制射频等离子体发射光谱分析 | 第32页 |
2.4 TiO_2薄膜的表征 | 第32-34页 |
2.4.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第33页 |
2.4.2 紫外可见吸收光谱(UV-vis) | 第33页 |
2.4.3 X射线衍射(XRD) | 第33-34页 |
2.5 TiO_2薄膜光催化特性 | 第34-35页 |
2.5.1 光催化检测 | 第34页 |
2.5.2 亚甲基蓝溶液的配制 | 第34页 |
2.5.3 染料最大吸收波长 | 第34-35页 |
2.5.4 光催化后溶液的浓度测定 | 第35页 |
2.6 本章小结 | 第35-36页 |
第三章 脉冲调制下等离子体诊断 | 第36-46页 |
3.1 电流-电压曲线诊断 | 第37-41页 |
3.1.1 功率对I-V曲线的影响 | 第37-39页 |
3.1.3 气压对I-V曲线的影响 | 第39-40页 |
3.1.4 脉冲调制及其占空比对I-V曲线的影响 | 第40-41页 |
3.2 OES监控脉冲调制下的等离子体特性及其变化 | 第41-45页 |
3.2.1 光谱诊断装置及测量方法 | 第41页 |
3.2.2 Ar/O2/TiCl_4体系的全光谱分析 | 第41-42页 |
3.2.3 功率对特征谱线的影响 | 第42-43页 |
3.2.4 气体流量对特征谱线的影响 | 第43-45页 |
3.3 本章小结 | 第45-46页 |
第四章 脉冲调制射频等离子体制备二氧化钛薄膜 | 第46-59页 |
4.1 射频等离子体制备条件对TiO_2薄膜形貌以及结晶的影响 | 第46-54页 |
4.1.1 温度对TiO_2薄膜形貌以及结晶的影响 | 第46-48页 |
4.1.2 功率对TiO_2薄膜形貌以及结晶的影响 | 第48-50页 |
4.1.3 气压对TiO_2薄膜形貌以及结晶的影响 | 第50-51页 |
4.1.4 脉冲调制占空比对TiO_2薄膜形貌以及结晶的影响 | 第51-54页 |
4.2 TiO_2薄膜光催化特性 | 第54-58页 |
4.2.1 TiO_2薄膜光催化实验设计 | 第55-56页 |
4.2.2 TiO_2薄膜光催化检测 | 第56-58页 |
4.3 本章小结 | 第58-59页 |
第五章 总结 | 第59-61页 |
5.1 结论 | 第59-60页 |
5.2 展望 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-65页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第65-66页 |
致谢 | 第66页 |