| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 石墨烯的结构 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨烯的性质和应用 | 第11-13页 |
| 1.3 石墨烯的主要制备方法 | 第13-15页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第14页 |
| 1.3.2 SiC外延生长法 | 第14页 |
| 1.3.3 氧化还原法 | 第14-15页 |
| 1.3.4 化学气相沉积法 | 第15页 |
| 1.4 研究意义和内容 | 第15-17页 |
| 1.4.1 研究目的和意义 | 第15-16页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第16-17页 |
| 2 石墨烯薄膜的制备、转移及表征 | 第17-37页 |
| 2.1 实验总体思路 | 第17页 |
| 2.2 石墨烯薄膜的制备 | 第17-21页 |
| 2.2.1 RF-PECVD设备 | 第18-19页 |
| 2.2.2 制备原理 | 第19-20页 |
| 2.2.3 制备过程 | 第20-21页 |
| 2.3 制备参数对沉积石墨烯薄膜的影响 | 第21-28页 |
| 2.3.1 气体成分和比例对沉积薄膜的影响 | 第21-23页 |
| 2.3.2 反应压强对薄膜生长的影响 | 第23-24页 |
| 2.3.3 基底温度对薄膜生长的影响 | 第24-25页 |
| 2.3.4 射频功率对薄膜生长的影响 | 第25-26页 |
| 2.3.5 基底种类对薄膜生长的影响 | 第26-27页 |
| 2.3.6 生长时间对薄膜生长的影响 | 第27-28页 |
| 2.4 石墨烯薄膜的转移 | 第28-32页 |
| 2.4.1 转移方法的选择 | 第28-29页 |
| 2.4.2 主要设备和材料 | 第29-32页 |
| 2.4.3 石墨烯薄膜转移过程 | 第32页 |
| 2.5 石墨烯薄膜的表征方法 | 第32-37页 |
| 2.5.1 光学显微镜 | 第32-33页 |
| 2.5.2 扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM） | 第33页 |
| 2.5.3 透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，TEM） | 第33-34页 |
| 2.5.4 原子力显微镜（Atomic Force Microscope，AFM） | 第34页 |
| 2.5.5 拉曼光谱分析（Raman spectra） | 第34-35页 |
| 2.5.6 X射线衍射分析（X-Ray Diffraction，XRD） | 第35-36页 |
| 2.5.7 X射线光电子能谱（X-ray photoelectron spectroscopy，XPS） | 第36-37页 |
| 3 铜基底上石墨烯样品的制备与分析 | 第37-49页 |
| 3.1 铜箔基底的预处理 | 第37-38页 |
| 3.2 样品的制备方案 | 第38-40页 |
| 3.3 铜基底上石墨烯薄膜的形貌结构表征与分析 | 第40-44页 |
| 3.4 实验参数对石墨烯生长的影响 | 第44-49页 |
| 3.4.1 样品位置不同对石墨烯生长的影响 | 第44-47页 |
| 3.4.2 沉积时间不同对石墨烯生长的影响 | 第47-48页 |
| 3.4.3 气体流量不同对石墨烯生长的影响 | 第48-49页 |
| 4 镍基底上石墨烯样品的制备与分析 | 第49-57页 |
| 4.1 镍箔基底的预处理 | 第49-50页 |
| 4.2 样品的制备方案 | 第50-51页 |
| 4.3 镍基底上石墨烯薄膜的形貌结构表征与分析 | 第51-54页 |
| 4.4 生长参数不同对石墨烯生长的影响 | 第54-57页 |
| 4.4.1 气体流量不同 | 第54-55页 |
| 4.4.2 沉积时间不同 | 第55-57页 |
| 5 样品的性能表征 | 第57-65页 |
| 5.1 性能表征方法 | 第57-59页 |
| 5.1.1 显微硬度测试 | 第57-58页 |
| 5.1.2 摩擦系数测试 | 第58-59页 |
| 5.1.3 光学性能测试 | 第59页 |
| 5.2 镍基底上石墨烯样品的性能表征 | 第59-64页 |
| 5.2.1 样品的硬度分析 | 第59-62页 |
| 5.2.2 样品的摩擦系数分析 | 第62-64页 |
| 5.3 铜基底上石墨烯样品的透光性能表征 | 第64-65页 |
| 6 结论与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 论文结论 | 第65页 |
| 6.2 展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
