| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 半导体纳米材料 | 第8-12页 |
| 1.1.1 半导体量子点的基本概念 | 第8页 |
| 1.1.2 半导体量子点的特性及分类 | 第8-12页 |
| 1.2 半导体量子点的光学性质及应用 | 第12-15页 |
| 1.2.1半导体量子点的发光性质 | 第12-14页 |
| 1.2.2 半导体量子点的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 贵金属纳米材料 | 第15-18页 |
| 1.3.1 纳米结构的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 金属纳米材料的光学性质及应用 | 第16-18页 |
| 1.4 局域表面等离子体共振增强荧光的研究概况 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 量子点电致发光器件 | 第20-25页 |
| 2.1 电致发光器件的结构 | 第20-21页 |
| 2.2 电致发光的基本原理 | 第21-24页 |
| 2.2.1 直流电子注入发光 | 第22页 |
| 2.2.2 交流场致发光 | 第22-24页 |
| 2.3 提高场电场驱动QD-LEDs性能的方法 | 第24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 掺Mn量子点的场致发光性质研究 | 第25-36页 |
| 3.1 发光材料的选定 | 第25页 |
| 3.2 场致发光器件的制备 | 第25-29页 |
| 3.2.1 场致发光器件的制备 | 第28-29页 |
| 3.3 CdS:Mn/ZnS核壳结构量子点的场致发光性质研究 | 第29-35页 |
| 3.3.1 场致发光器件的微结构表征 | 第29-30页 |
| 3.3.2 CdS:Mn/ZnS荧光光谱和电致发光光谱分析 | 第30-31页 |
| 3.3.3 场致发光的温度依赖特性研究 | 第31-32页 |
| 3.3.4 场致发光的电压和频率依赖特性研究 | 第32-33页 |
| 3.3.5 时间分辨光谱研究 | 第33-35页 |
| 3.3.6 场致发光器件的I-V和I-F分析 | 第35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 贵金属(Au、Ag)纳米颗粒薄膜制备 | 第36-41页 |
| 4.1 高真空热蒸发沉积金属纳米颗粒薄膜 | 第36-38页 |
| 4.1.1 ZnS半导体层的制备与表征 | 第36-37页 |
| 4.1.2 Au纳米颗粒薄膜的制备与表征 | 第37-38页 |
| 4.2 高真空热蒸发沉积金属颗粒阵列 | 第38-39页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第39-40页 |
| 4.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 内含金属纳米颗粒的量子点交流电致发光器件 | 第41-48页 |
| 5.1 贵金属纳米颗粒薄膜对表面等离子体增强荧光的影响 | 第41-42页 |
| 5.2 金属纳米粒子对量子点电致发光增强的研究 | 第42-44页 |
| 5.2.1 器件结构设计 | 第42-43页 |
| 5.2.2 器件制备与表征 | 第43-44页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第44-47页 |
| 5.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 6.1 总结 | 第48页 |
| 6.2 展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士期间完成的研究论文和申请的专利 | 第55页 |
