| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 光电探测器的原理及分类 | 第10-13页 |
| 1.2.1 光电探测器的原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 光电探测器的分类 | 第11-13页 |
| 1.3 有机光电探测器概述 | 第13-19页 |
| 1.3.1 有机光电探测器的结构 | 第13-14页 |
| 1.3.2 有机光电探测器的材料 | 第14-16页 |
| 1.3.3 有机光电探测器的工作过程 | 第16-17页 |
| 1.3.4 有机光电探测器的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 光电探测器的表征方法及主要参数 | 第21-27页 |
| 2.1 常用的表征方法 | 第21-24页 |
| 2.1.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第21-22页 |
| 2.1.2 X射线衍射仪（XRD） | 第22-23页 |
| 2.1.3 光致发光光谱（PL） | 第23页 |
| 2.1.4 紫外-可见分光光度计(UV-Vis) | 第23-24页 |
| 2.2 光电探测器的主要参数 | 第24-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 ZnO/PVK基紫外探测器 | 第27-42页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 ZnO的基本性质和摻杂现状 | 第27-30页 |
| 3.2.1 ZnO的基本性质 | 第27-29页 |
| 3.2.2 ZnO摻杂研究现状 | 第29-30页 |
| 3.3 样品的制备 | 第30-34页 |
| 3.3.1 ZnO和AZO种子层的制备方法 | 第32页 |
| 3.3.2 ZnO纳米棒的生长 | 第32-33页 |
| 3.3.3 有机层的旋涂 | 第33页 |
| 3.3.4 电极的蒸镀 | 第33-34页 |
| 3.4 不同Al浓度的AZO薄膜的特性分析 | 第34-36页 |
| 3.4.1 XRD分析 | 第34-35页 |
| 3.4.2 PL分析 | 第35页 |
| 3.4.3 电阻特性分析 | 第35-36页 |
| 3.5 ZnO/PVK基紫外探测器性能测试 | 第36-40页 |
| 3.5.1 吸收光谱测试 | 第36-38页 |
| 3.5.2 EQE测试 | 第38页 |
| 3.5.3 J-V曲线测试 | 第38-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 具有多层DCJTB/C60的有机近红外探测器 | 第42-53页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 有机半导体界面能级理论 | 第42-44页 |
| 4.2.1 界面的电子结构 | 第42-43页 |
| 4.2.2 界面偶极子 | 第43页 |
| 4.2.3 界面的能级弯曲 | 第43-44页 |
| 4.3 器件的制备及测试 | 第44-45页 |
| 4.4 多层DCJTB/C60的有机近红外探测器性能研究 | 第45-51页 |
| 4.4.1 DCJTB/C60多层结构的吸收光谱及AFM分析 | 第45-46页 |
| 4.4.2 DCJTB/C60多层结构的J-V曲线分析 | 第46-47页 |
| 4.4.3 DCJTB/C60多层结构的UPS分析 | 第47-48页 |
| 4.4.4 DCJTB/C60多层结构的XPS分析 | 第48-50页 |
| 4.4.5 DCJTB/C60多层结构的能带图分析 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 总结 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第63-64页 |
