| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 半导体激光器的发展历程 | 第10-13页 |
| 1.2 半导体激光器的主要应用 | 第13-14页 |
| 1.3 无铝有源区 808nm高功率半导体激光器的主要应用与研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 隧道级联 905nm高功率半导体激光器的发展与应用 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文的主要研究工作 | 第16-18页 |
| 第2章 MOCVD外延生长系统 | 第18-32页 |
| 2.1 MOCVD技术背景 | 第18-19页 |
| 2.2 MOCVD生长系统 | 第19-28页 |
| 2.2.1 原材料气源供应系统 | 第21-24页 |
| 2.2.2 MOCVD反应室分系统 | 第24-25页 |
| 2.2.3 MOCVD设备其他功能子系统 | 第25-28页 |
| 2.3 主要测试技术 | 第28-30页 |
| 2.3.1 光致发光测试技术 | 第28-29页 |
| 2.3.2 电容电压测试技术 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第3章 808nm半导体激光器有源区结构设计及外延优化 | 第32-52页 |
| 3.1 量子阱材料组分与阱宽的确定 | 第32-41页 |
| 3.1.1 量子阱与势垒材料的选取 | 第32-33页 |
| 3.1.2 无应变体材料带隙计算 | 第33-35页 |
| 3.1.3 化合物半导体材料其它性能参数计算 | 第35页 |
| 3.1.4 应变对量子阱能带的影响 | 第35-38页 |
| 3.1.5 应变量子阱带阶计算 | 第38-39页 |
| 3.1.6 基于Kohn-Luttinger Hamiltonian的传输矩阵法 | 第39-41页 |
| 3.2 In AlGaAs/AlGaAs量子阱结构设计及优化 | 第41-46页 |
| 3.2.1 In AlGaAs/AlGaAs量子阱材料组分及阱宽的确定 | 第41-43页 |
| 3.2.2 In AlGaAs/AlGaAs量子阱MOCVD外延生长 | 第43-44页 |
| 3.2.3 PL测试结果及优化 | 第44-46页 |
| 3.3 GaAsP/AlGaAs无铝量子阱结构设计及优化 | 第46-50页 |
| 3.3.1 GaAsP/AlGaAs无铝量子阱材料组分及阱宽的确定 | 第47-48页 |
| 3.3.2 GaAsP/AlGaAs无铝量子阱外延生长及优化 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 905nm半导体激光器有源区结构设计及外延优化 | 第52-62页 |
| 4.1 905nm半导体激光器量子阱材料组分与阱宽的确定 | 第52-54页 |
| 4.1.1 量子阱材料材料选取 | 第52-53页 |
| 4.1.2 量子阱材料组分及阱宽的确定 | 第53-54页 |
| 4.2 In GaAs/AlGaAs量子阱MOCVD外延生长及优化 | 第54-60页 |
| 4.2.1 In GaAs/AlGaAs量子阱外延生长 | 第54-55页 |
| 4.2.2 In GaAs/AlGaAs量子阱优化 | 第55-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 半导体激光器的制备与测试 | 第62-72页 |
| 5.1 半导体激光器的MOCVD外延生长 | 第62-64页 |
| 5.2 半导体激光器的工艺制备 | 第64-65页 |
| 5.3 半导体激光器结构参数 | 第65-67页 |
| 5.4 半导体激光器测试结果 | 第67-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
