| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 存储器简介 | 第8-11页 |
| 1.2 阻变存储器概述 | 第11-17页 |
| 1.2.1 RRAM的器件结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 RRAM的单元制备 | 第12-13页 |
| 1.2.3 RRAM的阻变类型与性能参数 | 第13-15页 |
| 1.2.4 RRAM的机制模型简介 | 第15-17页 |
| 1.3 基于氧化石墨烯RRAM简介 | 第17-20页 |
| 1.3.1 氧化石墨烯的性质 | 第17-18页 |
| 1.3.2 氧化石墨烯RRAM的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4 本论文的选题内容与研究意义 | 第20-22页 |
| 第二章 实验设备和测试分析方法 | 第22-27页 |
| 2.1 实验设备 | 第22-23页 |
| 2.1.1 匀胶机 | 第22页 |
| 2.1.2 蒸发镀膜机 | 第22页 |
| 2.1.3 光刻机 | 第22-23页 |
| 2.2 测试分析方法 | 第23-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第23页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
| 2.2.3 拉曼光谱仪(Raman) | 第24-25页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第25页 |
| 2.2.5 电学测试仪器 | 第25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 基于氧化石墨烯阻变器件制备及机理探究 | 第27-42页 |
| 3.1 简述 | 第27-29页 |
| 3.2 Metal/GO/Metal存储器件的构建及其表征 | 第29-31页 |
| 3.2.1 器件的构建 | 第29-30页 |
| 3.2.2 器件的制备及表征 | 第30-31页 |
| 3.3 不同电极的IV阻变行为 | 第31-34页 |
| 3.3.1 Au/GO/Au器件IV特性 | 第31-33页 |
| 3.3.2 Al/GO/Al器件IV特性 | 第33-34页 |
| 3.4 Metal/GO/Metal器件阻变机制的探究 | 第34-41页 |
| 3.4.1 I-V对数拟合 | 第34-35页 |
| 3.4.2 阻值的温度依赖性测试 | 第35-36页 |
| 3.4.3 构建平面结构 | 第36-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于氧化石墨烯阻变器件性能优化方法探究 | 第42-53页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 Al/GO-TiO_2/ITO阻变存储器件制备及其表征 | 第42-43页 |
| 4.3 Al/GO-TiO_2/ITO阻变特性研究 | 第43-47页 |
| 4.3.1 两种器件波动性对比 | 第44-45页 |
| 4.3.2 两种器件耐久性对比 | 第45-46页 |
| 4.3.3 器件高低阻转换速度 | 第46页 |
| 4.3.4 器件保持特性 | 第46-47页 |
| 4.4 Al/GO-TiO_2/ITO阻变器件机理分析 | 第47-52页 |
| 4.4.1 器件的原理分析 | 第47-49页 |
| 4.4.2 阻变性能与浓度和光照时间的依赖关系 | 第49-50页 |
| 4.4.3 阻变机制模型 | 第50-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 在学期间公开发表论文情况 | 第61页 |
