| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 太阳能电池原理 | 第10-12页 |
| 1.2.1 光生伏特效应原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 太阳能电池光电参数及主要性能指标 | 第11-12页 |
| 1.3 太阳能电池分类 | 第12-16页 |
| 1.3.1 硅太阳能电池 | 第12-13页 |
| 1.3.2 无机化合物薄膜太阳能电池 | 第13-15页 |
| 1.3.3 有机太阳能电池 | 第15-16页 |
| 1.3.4 纳米晶太阳能电池 | 第16页 |
| 1.4 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜的制备方法 | 第16-20页 |
| 1.4.1 多元共蒸发法 | 第17-18页 |
| 1.4.2 溅射法 | 第18页 |
| 1.4.3 电沉积法 | 第18-19页 |
| 1.4.4 纳米粒子墨水法 | 第19-20页 |
| 1.5 (In_(1-x)Ga_x)_2Se_3化合物半导体的研究进展 | 第20-23页 |
| 1.5.1 (In_(1-x)Ga_x)_2Se_3晶体结构及性质 | 第20-22页 |
| 1.5.2 (In_(1-x)Ga_x)_2Se_3的应用 | 第22页 |
| 1.5.3 (In_(1-x)Ga_x)_2Se_3的制备方法 | 第22-23页 |
| 1.6 课题的提出与研究内容 | 第23-25页 |
| 1.6.1 课题的提出 | 第23页 |
| 1.6.2 课题的研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验部分 | 第25-32页 |
| 2.1 实验原料与设备 | 第25-26页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第25页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第25-26页 |
| 2.2 实验过程 | 第26-28页 |
| 2.2.1 合成(In_(1-x)Ga_x)_2Se_3纳米晶 | 第26-28页 |
| 2.2.2 合成Cu(In,Ga)Se_2 | 第28页 |
| 2.3 实验方案 | 第28-30页 |
| 2.3.1 合成(In_(1-x)Ga_x)_2Se_3纳米晶实验方案 | 第28-30页 |
| 2.3.2 合成Cu(In,Ga)Se_2实验方案 | 第30页 |
| 2.4 测试与表征 | 第30-32页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第30页 |
| 2.4.2 能谱仪分析(EDS) | 第30页 |
| 2.4.3 X射线衍射分析(XRD) | 第30页 |
| 2.4.4 透射电子显微镜分析(TEM) | 第30-31页 |
| 2.4.5 紫外-可见-近红外吸收光谱分析(UV-Vis-NIR) | 第31页 |
| 2.4.6 拉曼光谱(Raman) | 第31页 |
| 2.4.7 霍尔测量(Hall) | 第31-32页 |
| 第三章 TEG体系下(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3纳米晶的合成 | 第32-44页 |
| 3.1 典型条件合成(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3纳米晶 | 第32-36页 |
| 3.2 TEG体系下不同EN的添加量对产物的影响 | 第36-38页 |
| 3.3 TEG体系下不同反应温度对产物的影响 | 第38-41页 |
| 3.4 TEG体系下不同NDM的添加量对产物的影响 | 第41-42页 |
| 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 TEG体系下(In_(1-x)Ga_x)_2Se_3纳米晶的合成 | 第44-52页 |
| 4.1 不同In/Ga比例下(In_(1-x)Ga_x)_2Se_3的形貌、成分表征 | 第44-46页 |
| 4.2 不同In/Ga比例下(In_(1-x)Ga_x)_2Se_3的相组成 | 第46-48页 |
| 4.3 不同In/Ga比例下(In_(1-x)Ga_x)_2Se_3的光电特性 | 第48-51页 |
| 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 墨水薄膜法制备Cu(In,Ga)Se_2 | 第52-58页 |
| 5.1 (In,Ga)_2Se_3纳米晶墨水与Cu~(2+)溶液叠层制备Cu(In,Ga)Se_2薄膜 | 第52-54页 |
| 5.2 (In,Ga)_2Se_3纳米晶墨水与CuS叠层制备Cu(In,Ga)Se_2薄膜 | 第54-57页 |
| 本章小结 | 第57-58页 |
| 全文结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文和科研情况说明 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
