| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 硅基光子学的发展与SOI介绍 | 第9-12页 |
| 1.1.1 硅基光子学的发展 | 第9-10页 |
| 1.1.2 SOI介绍 | 第10-12页 |
| 1.2 硅基光子集成技术 | 第12-14页 |
| 1.2.1 SOI光波导器件 | 第12页 |
| 1.2.2 SOI光调制器 | 第12-13页 |
| 1.2.3 SOI光子集成器件的优势 | 第13-14页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4 研究目标和研究内容 | 第17页 |
| 1.5 论文结构 | 第17-19页 |
| 第2章 SOI光波导的理论分析方法 | 第19-35页 |
| 2.1 硅基光波导的分类 | 第19-20页 |
| 2.2 光波导中的模式 | 第20-23页 |
| 2.3 理论分析方法 | 第23-31页 |
| 2.3.1 模式匹配法（FMM） | 第23-26页 |
| 2.3.2 有限元法（FEM） | 第26-28页 |
| 2.3.3 有限差分法（FDM） | 第28-29页 |
| 2.3.4 有效折射率法（EIM） | 第29-31页 |
| 2.4 模拟软件介绍（FIMMWAVE） | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-35页 |
| 第3章 SOI脊形光波导单模条件数值分析 | 第35-49页 |
| 3.1 模式的有效折射率分析 | 第35-38页 |
| 3.2 模式的Fill factor与电场强度轮廓分布分析 | 第38-42页 |
| 3.2.1 模式的Fill factor分析 | 第38-40页 |
| 3.2.2 模式的电场强度轮廓分析 | 第40-42页 |
| 3.3 模式的双折射效应与模式损耗分析 | 第42-44页 |
| 3.3.1 双折射效应分析 | 第42-43页 |
| 3.3.2 模式损耗分析 | 第43-44页 |
| 3.4 Side loss分析 | 第44-45页 |
| 3.5 基于SOI脊形光波导的单模条件分析 | 第45-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 SOI脊形光波导的制备 | 第49-59页 |
| 4.1 SOI晶片的制备方法介绍 | 第49-52页 |
| 4.1.1 键合-背面腐蚀技术 | 第49-50页 |
| 4.1.2 注氧隔离技术 | 第50-51页 |
| 4.1.3 注氢智能剥离技术 | 第51-52页 |
| 4.2 SOI脊形光波导的制备工艺流程 | 第52-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 SOI脊形光波导的测试 | 第59-67页 |
| 5.1 光学端面耦合平台介绍 | 第59-61页 |
| 5.2 测试流程介绍与测试结果分析 | 第61-66页 |
| 5.2.1 测试流程 | 第61-64页 |
| 5.2.2 测试结果分析 | 第64-66页 |
| 5.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第73-75页 |
| 硕士期间参与的科研项目 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |