| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET） | 第8-10页 |
| 1.3 高k栅介质材料的选取及HfO_2的研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3.1 高k栅介质材料的选取 | 第10-12页 |
| 1.3.2 HfO_2作为高k栅介质材料的研究进展 | 第12页 |
| 1.4 本论文研究内容及意义 | 第12-13页 |
| 1.5 本章小结 | 第13-14页 |
| 第2章 理论研究方法与计算软件 | 第14-26页 |
| 2.1 引言 | 第14页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第14-19页 |
| 2.2.1 量子多体问题 | 第15页 |
| 2.2.2 波恩-奥本海默（Born-Oppenheimer）绝热近似 | 第15-16页 |
| 2.2.3 哈特里-福克（Hartree-Fock）自洽场近似 | 第16-17页 |
| 2.2.4 霍恩伯格和科恩（Hohenberg-Kohn）定理 | 第17页 |
| 2.2.5 Kohn-Sham方法 | 第17-18页 |
| 2.2.6 交换相关泛函 | 第18-19页 |
| 2.3 赝势平面波方法 | 第19-20页 |
| 2.4 能带理论 | 第20页 |
| 2.4.1 能带结构 | 第20页 |
| 2.4.2 态密度 | 第20页 |
| 2.5 软件包简介 | 第20-22页 |
| 2.5.1 Materials Studio软件 | 第21页 |
| 2.5.2 VASP软件包 | 第21-22页 |
| 2.5.3 Origin软件 | 第22页 |
| 2.6 硬件支撑 | 第22-23页 |
| 2.7 本章小结 | 第23-26页 |
| 第3章 HfO_2体材料的电学性质 | 第26-34页 |
| 3.1 HfO_2晶体结构 | 第26-27页 |
| 3.2 研究内容和计算方法 | 第27-28页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第28-32页 |
| 3.3.1 HfO_2的电子结构 | 第28-31页 |
| 3.3.2 HfO_2的态密度 | 第31-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第4章 HfO_2缺陷材料的电学性质 | 第34-48页 |
| 4.1 HfO_2本征缺陷的电学性质 | 第35-40页 |
| 4.1.1 理论模型和计算方法 | 第35-36页 |
| 4.1.2 缺陷的形成能 | 第36-40页 |
| 4.2 HfO_2掺杂缺陷的电学性质 | 第40-42页 |
| 4.2.1 理论模型和计算方法 | 第40页 |
| 4.2.2 缺陷的形成能 | 第40-42页 |
| 4.3 HfO_2缺陷的性质 | 第42-45页 |
| 4.3.1 缺陷的形成能 | 第43-44页 |
| 4.3.2 HfO_2缺陷的电荷转变能级 | 第44-45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
