| 摘要 | 第6-9页 |
| ABSTRACT | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第18-19页 |
| 第二章 文献综述 | 第19-55页 |
| 2.1 织构化陶瓷材料概述 | 第19页 |
| 2.2 陶瓷材料胶态成型方法概述 | 第19-26页 |
| 2.2.1 注浆成型 | 第21页 |
| 2.2.2 电泳沉积 | 第21-24页 |
| 2.2.3 凝胶注模成型 | 第24-26页 |
| 2.3 陶瓷浆料分散性和稳定性机理研究 | 第26-28页 |
| 2.3.1 陶瓷颗粒在浆料中的分散性 | 第26-27页 |
| 2.3.2 陶瓷颗粒在浆料中的稳定性 | 第27-28页 |
| 2.4 织构化陶瓷材料制备技术的研究 | 第28-35页 |
| 2.4.1 热加工技术 | 第28-30页 |
| 2.4.1.1 热压技术 | 第28-29页 |
| 2.4.1.2 热锻技术 | 第29-30页 |
| 2.4.1.3 烧锻技术 | 第30页 |
| 2.4.2 模板晶粒生长技术 | 第30-32页 |
| 2.4.3 反应模板晶粒生长技术 | 第32-34页 |
| 2.4.4 定向凝固技术 | 第34-35页 |
| 2.5 强磁场技术的发展 | 第35-36页 |
| 2.6 强磁场对物质的主要作用方式 | 第36-39页 |
| 2.6.1 洛伦兹力 | 第37页 |
| 2.6.2 磁化能 | 第37-38页 |
| 2.6.3 磁化力 | 第38页 |
| 2.6.4 磁极间相互作用 | 第38-39页 |
| 2.7 强磁场下晶体取向行为的研究 | 第39-45页 |
| 2.7.1 强磁场下金属材料的晶体取向研究 | 第39-42页 |
| 2.7.2 强磁场下高分子聚合物材料的晶体取向研究 | 第42-43页 |
| 2.7.3 强磁场下陶瓷材料的晶体取向研究 | 第43-45页 |
| 2.8 强磁场下单个球形陶瓷晶粒取向的动力学研究 | 第45-50页 |
| 2.8.1 单个球形晶粒取向的力学模型 | 第47-48页 |
| 2.8.2 单个球形晶粒旋转取向的有效尺寸 | 第48-50页 |
| 2.9 强磁场下晶粒取向的旋转扩散模型 | 第50-53页 |
| 2.10 本论文工作的意义及内容 | 第53-55页 |
| 第三章 强磁场下陶瓷晶粒取向形成的理论模型 | 第55-73页 |
| 3.1 前言 | 第55页 |
| 3.2 强磁场下考虑晶粒间相互作用的晶粒取向理论模型 | 第55-60页 |
| 3.2.1 晶粒间的直接碰撞作用 | 第55-57页 |
| 3.2.2 晶粒间的间接作用 | 第57-58页 |
| 3.2.3 晶粒间磁性相互作用力 | 第58页 |
| 3.2.4 考虑晶粒间相互作用的晶粒取向的旋转扩散模型 | 第58-60页 |
| 3.3 实验过程与方法 | 第60-63页 |
| 3.3.1 实验原料和化学试剂 | 第61页 |
| 3.3.2 磁场实验装置 | 第61-62页 |
| 3.3.3 实验过程 | 第62-63页 |
| 3.3.4 测试及表征方法 | 第63页 |
| 3.4 凝胶体系分析 | 第63-66页 |
| 3.4.1 单体浓度对聚合开始时间的影响 | 第64-65页 |
| 3.4.2 引发剂加入量对聚合开始时间的影响 | 第65页 |
| 3.4.3 催化剂加入量对聚合开始时间的影响 | 第65-66页 |
| 3.5 结果与分析 | 第66-72页 |
| 3.6 本章小结 | 第72-73页 |
| 第四章 强磁场下织构化陶瓷素坯的制备 | 第73-98页 |
| 4.1 前言 | 第73页 |
| 4.2 实验过程和方法 | 第73-77页 |
| 4.2.1 实验原料 | 第73页 |
| 4.2.2 磁场实验装置 | 第73-74页 |
| 4.2.3 实验过程 | 第74-76页 |
| 4.2.4 测试及表征方法 | 第76-77页 |
| 4.3 体系特性分析 | 第77-87页 |
| 4.3.1 Si_3N_4体系的特性分析 | 第77-83页 |
| 4.3.1.1 α-Si_3N_4粉末与β-Si_3N_4粉末的特性分析 | 第77-78页 |
| 4.3.1.2 Si_3N_4陶瓷浆料的分散性与稳定性研究 | 第78-83页 |
| 4.3.2 α-SiC体系的特性分析 | 第83-87页 |
| 4.3.2.1 α-SiC粉末的特性分析 | 第83页 |
| 4.3.2.2 α-SiC陶瓷浆料的分散性与稳定性研究 | 第83-87页 |
| 4.4 实验结果与分析 | 第87-96页 |
| 4.4.1 Si_3N_4素坯的织构分析 | 第87-93页 |
| 4.4.1.1 籽晶添加量对Si_3N_4素坯织构的影响 | 第87-90页 |
| 4.4.1.2 强磁场对β-Si_3N_4素坯织构的影响 | 第90-91页 |
| 4.4.1.3 结果分析 | 第91-93页 |
| 4.4.2 α-SiC素坯的织构分析 | 第93-96页 |
| 4.4.2.1 强磁场对α-SiC素坯织构的影响 | 第93-94页 |
| 4.4.2.2 结果分析 | 第94-96页 |
| 4.5 本章小结 | 第96-98页 |
| 第五章 无相转变的烧结过程对陶瓷材料织构化的影响 | 第98-121页 |
| 5.1 前言 | 第98页 |
| 5.2 实验过程与方法 | 第98-100页 |
| 5.2.1 实验材料 | 第98页 |
| 5.2.2 样品的烧结 | 第98-99页 |
| 5.2.3 测试及表征方法 | 第99-100页 |
| 5.3 烧结过程对β-Si_3N_4陶瓷的织构化影响 | 第100-105页 |
| 5.3.1 烧结温度对β-Si_3N_4陶瓷的织构分析 | 第100-103页 |
| 5.3.2 烧结后β-Si_3N_4陶瓷的微观结构分析 | 第103-104页 |
| 5.3.3 烧结后β-Si_3N_4陶瓷的相对密度与显气孔率分析 | 第104-105页 |
| 5.3.4 烧结后β-Si_3N_4陶瓷的室温抗弯强度分析 | 第105页 |
| 5.4 烧结过程对α-SiC样品织构的影响分析 | 第105-116页 |
| 5.4.1 强磁场对α-SiC陶瓷样品织构的影响 | 第105-106页 |
| 5.4.2 烧结温度对α-SiC陶瓷样品织构的影响 | 第106-108页 |
| 5.4.3 保温时间对α-SiC陶瓷样品织构的影响 | 第108-109页 |
| 5.4.4 烧结样品的微观结构分析 | 第109-113页 |
| 5.4.4.1 强磁场对α-SiC陶瓷样品微观结构的影响 | 第109-110页 |
| 5.4.4.2 烧结温度对α-SiC陶瓷样品微观结构的影响 | 第110-112页 |
| 5.4.4.3 保温时间对α-SiC陶瓷样品微观结构的影响 | 第112-113页 |
| 5.4.5 烧结后样品的性能分析 | 第113-116页 |
| 5.4.5.1 相对密度与显气孔率分析 | 第113-115页 |
| 5.4.5.2 室温抗弯强度分析 | 第115-116页 |
| 5.5 无相转变的烧结机制及对陶瓷织构化的影响 | 第116-119页 |
| 5.6 本章小结 | 第119-121页 |
| 第六章 发生相转变的烧结过程对陶瓷材料织构化的影响 | 第121-142页 |
| 6.1 前言 | 第121页 |
| 6.2 实验材料和方案 | 第121-122页 |
| 6.2.1 实验材料 | 第121页 |
| 6.2.2 样品的烧结 | 第121页 |
| 6.2.3 测试及表征方法 | 第121-122页 |
| 6.3 烧结过程对Si_3N_4陶瓷织构化的影响分析 | 第122-127页 |
| 6.3.1 籽晶添加量 | 第122-125页 |
| 6.3.2 烧结温度 | 第125-126页 |
| 6.3.3 保温时间 | 第126-127页 |
| 6.4 织构化Si_3N_4陶瓷的微观结构分析 | 第127-129页 |
| 6.5 发生相转变的液相烧结机制及对陶瓷织构化的影响 | 第129-139页 |
| 6.5.1 发生相转变的液相烧结机制 | 第129-132页 |
| 6.5.2 发生相转变的液相烧结对Si_3N_4陶瓷织构化的影响 | 第132-139页 |
| 6.6 织构化Si_3N_4陶瓷的性能分析 | 第139-141页 |
| 6.6.1 相对密度与显气孔率分析 | 第139-140页 |
| 6.6.2 室温抗弯强度分析 | 第140-141页 |
| 6.7 本章小结 | 第141-142页 |
| 第七章 结论与展望 | 第142-145页 |
| 7.1 结论 | 第142-143页 |
| 7.2 展望 | 第143-145页 |
| 本论文创新点 | 第145-146页 |
| 参考文献 | 第146-160页 |
| 符号表 | 第160-164页 |
| 作者攻读博士学位期间发表的论文 | 第164-166页 |
| 作者攻读博士学位期间申报的专利 | 第166-167页 |
| 作者攻读博士学位期间获得的荣誉称号、重大奖励 | 第167-168页 |
| 作者攻读博士学位期间所参与的项目 | 第168-169页 |
| 致谢 | 第169页 |
