| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-26页 |
| 1.1 太赫兹简介 | 第18-19页 |
| 1.2 太赫兹的特点与应用 | 第19页 |
| 1.3 半导体太赫兹辐射源 | 第19-22页 |
| 1.4 GaN材料简介 | 第22-23页 |
| 1.5 论文安排及主要内容 | 第23-26页 |
| 第二章 IMPATT二极管的工作原理 | 第26-36页 |
| 2.1 静态特性 | 第26-28页 |
| 2.2 动态特性 | 第28-31页 |
| 2.3 大信号工作 | 第31-33页 |
| 2.4 功率和效率 | 第33-36页 |
| 第三章 GaN肖特基势垒IMPATT二极管静态特性仿真 | 第36-58页 |
| 3.1 器件结构 | 第36-37页 |
| 3.2 仿真涉及的方程和模型 | 第37-40页 |
| 3.2.1 半导体器件基本方程 | 第37-38页 |
| 3.2.2 漂移-扩散模型 | 第38-39页 |
| 3.2.3 碰撞电离模型 | 第39-40页 |
| 3.3 掺杂浓度对静态特性的影响 | 第40-49页 |
| 3.3.1 雪崩终止层掺杂浓度对静态特性的影响 | 第40-45页 |
| 3.3.2 雪崩区掺杂浓度对静态特性的影响 | 第45-49页 |
| 3.4 器件尺寸对静态特性的影响 | 第49-56页 |
| 3.4.1 雪崩终止层长度对静态特性的影响 | 第49-52页 |
| 3.4.2 雪崩区长度对静态特性的影响 | 第52-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 GaN肖特基势垒IMPATT二极管动态特性仿真 | 第58-76页 |
| 4.1 偏置电路 | 第58-59页 |
| 4.2 IMPATT二极管的振荡波形 | 第59-62页 |
| 4.3 器件内部特性随时间的变化 | 第62-68页 |
| 4.4 IMPATT二极管的功率和转换效率 | 第68-74页 |
| 4.4.1 交流电压振幅对性能的影响 | 第69-71页 |
| 4.4.2 直流偏置电压对性能的影响 | 第71-73页 |
| 4.4.3 工作频率对性能的影响 | 第73-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 5.1 总结 | 第76页 |
| 5.2 展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 作者简介 | 第84-85页 |