摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
主要符号表 | 第16-18页 |
1 绪论 | 第18-42页 |
1.1 低温等离子体概述 | 第18-19页 |
1.2 低温等离子体与现代微电子工业 | 第19-20页 |
1.3 微电子工业中常见的等离子体源 | 第20-25页 |
1.3.1 单频容性耦合等离子源 | 第20-22页 |
1.3.2 双频容性耦合等离子体源 | 第22-23页 |
1.3.3 电子回旋共振等离子体源 | 第23-24页 |
1.3.4 感性耦合等离子体源 | 第24-25页 |
1.4 等离子体的研究方法 | 第25-28页 |
1.4.1 数值模拟 | 第25-26页 |
1.4.2 实验诊断研究 | 第26-28页 |
1.5 脉冲放电感性耦合等离子体研究进展 | 第28-39页 |
1.5.1 带电粒子动力学过程 | 第32-35页 |
1.5.2 中性基团动力学过程 | 第35-37页 |
1.5.3 离子特性 | 第37-39页 |
1.6 脉冲调制射频感性耦合等离子体研究中存在的不足 | 第39-41页 |
1.7 本文研究内容安排 | 第41-42页 |
2 实验装置及诊断方法 | 第42-54页 |
2.1 实验装置 | 第42-44页 |
2.2 诊断设备及方法 | 第44-53页 |
2.2.1 时间分辨Langmuir探针 | 第44-46页 |
2.2.2 Hairpin探针 | 第46-48页 |
2.2.3 光探针和ICCD | 第48-50页 |
2.2.4 减速场离子能量分析仪 | 第50-52页 |
2.2.5 Z-scan射频电流电压测量系统 | 第52-53页 |
2.3 本章小结 | 第53-54页 |
3 射频O_2/Ar感性耦合等离子体特性的研究 | 第54-68页 |
3.1 引言 | 第54页 |
3.2 实验装置、诊断方法以及整体模型简述 | 第54-55页 |
3.2.1 实验装置和诊断方法简述 | 第54页 |
3.2.2 整体模型简述 | 第54-55页 |
3.3 结果与讨论 | 第55-66页 |
3.3.1 气体比率对等离子体的影响 | 第55-58页 |
3.3.2 气压对等离子体的影响 | 第58-64页 |
3.3.3 功率对等离子体的影响 | 第64-66页 |
3.4 本章小结 | 第66-68页 |
4 脉冲调制射频O_2/Ar感性耦合等离子体特性的研究 | 第68-85页 |
4.1 引言 | 第68页 |
4.2 放电参数对ICP的影响 | 第68-79页 |
4.2.1 脉冲频率对等离子体特性的影响 | 第68-73页 |
4.2.2 脉冲占空比对等离子体特性的影响 | 第73-75页 |
4.2.3 放电气压对等离子体特性的影响 | 第75-77页 |
4.2.4 放电功率对等离子体特性的影响 | 第77-79页 |
4.3 关于辉光初期电子密度随时间演化的讨论 | 第79-83页 |
4.4 本章小结 | 第83-85页 |
5 射频及脉冲调制射频O_2/Ar感性耦合等离子体径向均匀性的研究 | 第85-105页 |
5.1 引言 | 第85页 |
5.2 射频O_2/Ar感性耦合等离子体径向均匀性 | 第85-92页 |
5.2.1 气体比率对等离子体径向均匀性的影响 | 第85-89页 |
5.2.2 放电气压和功率对等离子体径向均匀性的影响 | 第89-92页 |
5.3 脉冲调制射频O_2/Ar感性耦合等离子体径向均匀性 | 第92-104页 |
5.3.1 脉冲占空比和频率对等离子体径向均匀性的响 | 第92-98页 |
5.3.2 放电气压和功率对等离子体径向均匀性的影响 | 第98-99页 |
5.3.3 关于余辉阶段等离子体径向均匀性随时间演化的讨论 | 第99-104页 |
5.4 本章小结 | 第104-105页 |
6 结论与展望 | 第105-108页 |
6.1 主要结论 | 第105-107页 |
6.2 创新点 | 第107页 |
6.3 工作展望 | 第107-108页 |
参考文献 | 第108-115页 |
攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第115-116页 |
致谢 | 第116-117页 |
作者简介 | 第117页 |