| 摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 符号使用说明 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| ·概述 | 第15-17页 |
| ·研究内容 | 第17页 |
| ·论文主要工作和章节安排 | 第17-21页 |
| 第二章 忆阻器的提出与发展 | 第21-45页 |
| ·忆阻器的提出 | 第21-24页 |
| ·纳米尺寸忆阻器实现 | 第24-31页 |
| ·阻性跳变模式 / 工作模式 | 第25-27页 |
| ·阻性跳变工作机理 | 第27-31页 |
| ·忆容器的提出与实现 | 第31-36页 |
| ·忆容系统和忆容器 | 第32-33页 |
| ·忆容器的实现 | 第33-36页 |
| ·忆感器的提出与实现 | 第36-40页 |
| ·忆感系统和忆感器 | 第36-37页 |
| ·忆感器的实现 | 第37-40页 |
| ·实际器件中忆阻、忆容和忆感效应的共存现象 | 第40-45页 |
| 第三章 TiO_2记忆电抗器件研究 | 第45-81页 |
| ·简介 | 第45页 |
| ·TiO_2器件的制备与忆阻特性验证 | 第45-60页 |
| ·器件制备 | 第45-47页 |
| ·电特性测试与分析 | 第47-57页 |
| ·基于导电细丝机理的特性分析 | 第57-60页 |
| ·TiO_2器件中忆阻、忆容和忆感特性的共存 | 第60-73页 |
| ·具有记忆特性的动态电路元件分类 | 第61-63页 |
| ·I ? V特性曲线的非零交叉现象 | 第63-65页 |
| ·忆阻、忆容和忆感特性的并发测量 | 第65-69页 |
| ·TiO_2记忆电抗器件特性的尺寸依赖性研究 | 第69-71页 |
| ·TiO_2记忆电抗器件特性的频率依赖性研究 | 第71-73页 |
| ·TiO_2记忆电抗器件I ? V特性频率响应 | 第73-80页 |
| ·器件I ? V特性测试系统组成 | 第73-74页 |
| ·器件I ? V特性频率响应测试结果 | 第74-77页 |
| ·器件I ? V频率响应特性的建模分析 | 第77-80页 |
| ·小结 | 第80-81页 |
| 第四章 TiO_2记忆电抗器件的非理想电特性研究 | 第81-99页 |
| ·简介 | 第81页 |
| ·记忆电抗器件阻性分量随机跳变特性 | 第81-88页 |
| ·TiO_2记忆电抗器件阻性随机跳变现象 | 第81-83页 |
| ·阻性随机跳变的底层机理分析 | 第83-88页 |
| ·记忆电抗器件状态波动性研究 | 第88-97页 |
| ·阻性分量状态波动 | 第88-93页 |
| ·容性分量状态波动 | 第93-97页 |
| ·小结 | 第97-99页 |
| 第五章 TiO_2记忆电抗器件在神经元突触特性模拟中的应用研究 | 第99-117页 |
| ·简介 | 第99页 |
| ·基于记忆电抗器件的Spike信号生成电路 | 第99-101页 |
| ·记忆电抗器件神经元突触特性仿真 | 第101-116页 |
| ·记忆电抗器件长时程易失模型 | 第102-105页 |
| ·模型I ? V响应 | 第105-106页 |
| ·模型阻抗值易失和非易失动态变化过程 | 第106-109页 |
| ·模型STDP特性仿真 | 第109-113页 |
| ·模型行为频率依赖性特性仿真 | 第113-116页 |
| ·小结 | 第116-117页 |
| 第六章 总结与展望 | 第117-119页 |
| ·总结 | 第117页 |
| ·下一步工作计划 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-133页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第133-134页 |