| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·HBT高频特性 | 第11-13页 |
| ·高频器件发展趋势 | 第13-17页 |
| ·论文的主要内容及结构 | 第17-18页 |
| 第二章 二端口校准技术 | 第18-41页 |
| ·VNA误差模型 | 第19-22页 |
| ·SOLT校准 | 第22-27页 |
| ·十二项误差模型SOLT校准技术 | 第22-24页 |
| ·八项误差模型SOLT校准技术 | 第24-27页 |
| ·TRL(Through-Reflect-Line)校准 | 第27-33页 |
| ·直通标准件(Through) | 第27页 |
| ·反射标准件(Reflect) | 第27-28页 |
| ·长线标准件(Line) | 第28-33页 |
| ·LRM(Line-Reflect-Match)校准 | 第33-34页 |
| ·LRRM(Line-Reflect-Reflect-Match)校准 | 第34-40页 |
| ·校准技术总结 | 第40-41页 |
| 第三章 二端口去嵌技术 | 第41-55页 |
| ·开路(Open)去嵌方法 | 第41-42页 |
| ·开路短路(open-short)去嵌方法 | 第42-43页 |
| ·直通(Through)去嵌法 | 第43-44页 |
| ·pad-开路-短路去嵌法 | 第44-45页 |
| ·直通-短路去嵌法 | 第45-46页 |
| ·直通-开路去嵌法 | 第46页 |
| ·直通-短路-开路去嵌法 | 第46-47页 |
| ·直通-开路-短路1-短路2去嵌法 | 第47-49页 |
| ·五步去嵌法 | 第49-51页 |
| ·双开路-短路去嵌法 | 第51-52页 |
| ·开路建模去嵌法 | 第52-54页 |
| ·去嵌方法小结 | 第54-55页 |
| 第四章 InP DHBT小信号建模 | 第55-66页 |
| ·微波毫米波建模的挑战及意义 | 第55-56页 |
| ·HBT小信号建模 | 第56-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 大信号建模 | 第66-82页 |
| ·紧凑型模型主要特点 | 第66-68页 |
| ·AgilentHBT大信号模型 | 第68-74页 |
| ·Agilent HBT模型 | 第68-69页 |
| ·DC模型 | 第69-71页 |
| ·耗尽区电容 | 第71-72页 |
| ·扩散电容和渡越时间 | 第72-74页 |
| ·电阻和外部参数 | 第74页 |
| ·热阻 | 第74页 |
| ·大信号模型参数提取 | 第74-75页 |
| ·大信号建模 | 第75页 |
| ·大信号参数提取 | 第75-81页 |
| ·正向Gummel曲线 | 第75-76页 |
| ·输出特性 | 第76-77页 |
| ·耗尽电荷方程参数提取 | 第77-78页 |
| ·渡越时间参数 | 第78-80页 |
| ·S参数拟合结果 | 第80-81页 |
| ·热效应 | 第81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第六章 毫米波电路设计 | 第82-100页 |
| ·传输线仿真 | 第82-84页 |
| ·压控振荡器(VCO)设计 | 第84-88页 |
| ·VCO概述 | 第84-86页 |
| ·负阻分析法 | 第86-87页 |
| ·环路增益分析方法 | 第87-88页 |
| ·相位噪声 | 第88-90页 |
| ·相位噪声概念 | 第88-89页 |
| ·相位噪声特性 | 第89-90页 |
| ·电路设计与实现 | 第90-99页 |
| ·电路结构分析 | 第90-92页 |
| ·低相位噪声压控振荡器 | 第92-93页 |
| ·电路实现 | 第93-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 第七章 总结与展望 | 第100-102页 |
| ·总结 | 第100-101页 |
| ·展望 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-110页 |
| 附录 | 第110页 |
