| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·相变材料 | 第10-15页 |
| ·相变材料概述 | 第10-13页 |
| ·相变材料结构性质 | 第13-15页 |
| ·相变存储器基本结构与发展历程 | 第15-17页 |
| ·掺杂提高相变存储器性能 | 第17-18页 |
| ·本文主要工作 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 硅(Si)掺杂GST薄膜相变过程热稳定性研究 | 第23-41页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·Si掺杂GST薄膜实验制备 | 第24-25页 |
| ·Si掺杂对GST薄膜热致相变过程的影响 | 第25-31页 |
| ·Si-GST薄膜热致相变过程分析 | 第25-26页 |
| ·Si-GST薄膜与纯GST薄膜热致相变过程比较 | 第26-28页 |
| ·Si掺杂对GST薄膜相变过程的影响 | 第28-31页 |
| ·Si-GST薄膜的结晶激活能 | 第31-35页 |
| ·Si掺杂对材料数据保持时间的影响 | 第35-38页 |
| ·Si掺杂对薄膜热稳定性的影响 | 第35-37页 |
| ·Si掺杂对GST材料数据保持能力的影响 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 Si掺杂GST薄膜光电性质研究 | 第41-56页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·Si-GST薄膜光学带隙 | 第42-48页 |
| ·PCRAM存储单元原型器件开关特性研究 | 第48-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第四章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 硕士阶段发表的工作 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |