| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·引言 | 第7-12页 |
| ·半导体激光器材料概况 | 第12-13页 |
| ·软件介绍 | 第13-14页 |
| ·论文研究的目的和内容 | 第14-17页 |
| 第二章 半导体激光器材料以及器件基本理论 | 第17-36页 |
| ·半导体激光器的材料基础 | 第17-22页 |
| ·半导体异质结 | 第22-30页 |
| ·半导体激光器工作原理 | 第30-32页 |
| ·InGaAsP/InP材料特性 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 1.47μm InGaAsP/InP多量子阱激光器的设计及优化 | 第36-50页 |
| ·1.47μm激光器的材料选取 | 第36页 |
| ·激光器有源区设计与优化 | 第36-44页 |
| ·激光器的波导设计 | 第44-47页 |
| ·腔长的优化 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 激光器的模拟分析 | 第50-68页 |
| ·激光器结构模拟 | 第50-56页 |
| ·激光器的温度特性 | 第56-60页 |
| ·TI结构以及其对激光器温度特性的影响 | 第60-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 发表和待发表论文目录 | 第73页 |