| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-14页 |
| ·研究背景和意义 | 第11-12页 |
| ·国内外发展现状 | 第12-13页 |
| ·本论文的组织结构 | 第13-14页 |
| 第二章 带隙基准源概述 | 第14-29页 |
| ·带隙基准源的主要性能指标 | 第14-17页 |
| ·温度系数 | 第15-16页 |
| ·电源抑制比 | 第16页 |
| ·噪声 | 第16-17页 |
| ·电源电压 | 第17页 |
| ·纳米工艺下带隙基准设计所面临的挑战 | 第17-28页 |
| ·电源电压的变化 | 第18页 |
| ·工艺的变化 | 第18页 |
| ·低电源电压设计 | 第18-28页 |
| ·基于 BJT 器件的典型低压基准源电路 | 第19-21页 |
| ·基于 MOS 器件的典型低压基准源电路 | 第21-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 基于 MOS 器件二阶温度补偿的基准源原理分析 | 第29-40页 |
| ·MOSFET 的亚阈值特性 | 第29-35页 |
| ·MOSFET 的结构 | 第29-30页 |
| ·MOSFET 阈值电压的温度特性 | 第30-33页 |
| ·MOSFET 亚阈值状态电流-电压特性 | 第33-35页 |
| ·二阶温度补偿基准源原理 | 第35-39页 |
| ·基于 MOSFET 器件的 PTAT 电流源 | 第35-38页 |
| ·基于 MOSFET 器件的 CTAT 电流源 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 基准源电路设计与仿真 | 第40-51页 |
| ·低压低功耗基准整体结构 | 第40-48页 |
| ·PTAT 电流源电路 | 第41-43页 |
| ·CTAT 电流源电路 | 第43-45页 |
| ·CTAT 电流修调电路 | 第45-46页 |
| ·低压低功耗基准整体电路 | 第46-47页 |
| ·负载电阻修调电路 | 第47-48页 |
| ·电路仿真结果 | 第48-50页 |
| ·温度系数仿真 | 第48-49页 |
| ·电源抑制比仿真 | 第49-50页 |
| ·功耗仿真 | 第50页 |
| ·仿真结果总结 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 版图设计和测试 | 第51-61页 |
| ·基准源电路的版图设计 | 第51-55页 |
| ·深亚微米工艺下制造工艺的影响 | 第51-53页 |
| ·深亚微米工艺下版图的设计 | 第53-54页 |
| ·基准源版图的设计 | 第54-55页 |
| ·基准源电路的测试 | 第55-60页 |
| ·负载修调电路测试 | 第56-57页 |
| ·电源抑制比测试 | 第57-58页 |
| ·功耗测试 | 第58页 |
| ·启动时间测试 | 第58-59页 |
| ·温度系数测试 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-63页 |
| ·工作内容总结 | 第61-62页 |
| ·工作展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |