| 中文摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 1 文献综述 | 第13-37页 |
| ·表面等离子体激元(SURFACE PLASMON POLARITONS) | 第13-24页 |
| ·表面等离子体激元的定义 | 第13页 |
| ·自由电子气模型 | 第13-15页 |
| ·实际金属的介电常数 | 第15-16页 |
| ·金属界面上的表面等离子体 | 第16-22页 |
| ·表面等离子体的激发 | 第22-24页 |
| ·局域的表面等离子体激元(LOCALIZED SURFACE PLASMONS) | 第24-33页 |
| ·准静态理论下的LSPs与高阶模式的LSPs | 第24-29页 |
| ·影响LSPs共振的因素 | 第29-32页 |
| ·LSPs能量的衰减 | 第32-33页 |
| ·表面等离子体激元的应用 | 第33-37页 |
| 2 实验设备介绍 | 第37-47页 |
| ·原子层沉积系统(ALD) | 第37-38页 |
| ·原子层沉积的工作原理 | 第37-38页 |
| ·原子层沉积的工艺优点 | 第38页 |
| ·分子束外延系统(MBE) | 第38-40页 |
| ·分子束外延的工作原理 | 第38-39页 |
| ·分子束外延的技术优点 | 第39-40页 |
| ·高分辨X射线衍射技术(HRXRD) | 第40-42页 |
| ·高分辨X射线衍射技术的原理 | 第40-41页 |
| ·高分辨X射线衍射技术的扫描方式 | 第41-42页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第42-43页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第43页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第43-45页 |
| ·光致发光(PL) | 第45-47页 |
| 3 金属纳米结构的制备 | 第47-57页 |
| ·热退火处理 | 第47-48页 |
| ·电子束刻蚀(EBL) | 第48-52页 |
| ·电子束刻蚀的基本原理 | 第48-50页 |
| ·电子束刻蚀工艺流程 | 第50-51页 |
| ·电子束刻蚀样品表征 | 第51-52页 |
| ·聚热离子束刻蚀(FIB) | 第52-57页 |
| ·聚焦离子束的基本原理 | 第52-54页 |
| ·聚焦离子束的操作流程 | 第54-57页 |
| 4 数值计算 | 第57-73页 |
| ·离散偶极近似法(DDA) | 第57-58页 |
| ·时域有限差分法(FDTD) | 第58-64页 |
| ·麦克斯韦方程的标量形式 | 第59-60页 |
| ·FDTD差分方程 | 第60-62页 |
| ·完全匹配层(PML)吸收边界条件 | 第62-64页 |
| ·时域有限差分法(FDTD)计算结果与讨论 | 第64-73页 |
| ·颗粒大小的影响 | 第64-66页 |
| ·形状的影响 | 第66-68页 |
| ·周围介质的影响 | 第68-69页 |
| ·入射光偏振态的影响 | 第69-70页 |
| ·实验设计 | 第70-73页 |
| 5 表面等离子体增强GAN基紫外LED发光 | 第73-84页 |
| ·GAN基紫外LED器件研究现状 | 第73-74页 |
| ·表面等离子体激元增强GAN基LED发光的进展 | 第74-79页 |
| ·表面等离子体激元增强紫外LED发光 | 第79-82页 |
| ·样品生长 | 第79-81页 |
| ·样品截面的TEM形貌分析 | 第81-82页 |
| ·金属PT纳米颗粒表面等离子体与近紫外MQWs的耦合 | 第82-84页 |
| 6 表面等离子激元增强ZNO带边发光 | 第84-97页 |
| ·表面等离子激元增强ZNO发光的进展 | 第84-86页 |
| ·高质量ZNO薄膜的制备与表征 | 第86-89页 |
| ·原子层沉积发生长ZnO薄膜 | 第86-87页 |
| ·ZnO薄膜的表面形貌 | 第87-88页 |
| ·高分辨X射线衍射分析晶体结构 | 第88页 |
| ·InGaN/AlGaN多量子阱的光致发光性能 | 第88-89页 |
| ·表面等离子体激元耦合提高ZNO发光的研究 | 第89-91页 |
| ·表面等离子激元增强二极管的发光机理探讨 | 第91-97页 |
| 7 总结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-106页 |
| 博士期间发表论文 | 第106-107页 |
| 致谢 | 第107页 |
