| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| ·半导体材料的发展 | 第9-10页 |
| ·GaN基材料的基本性质 | 第10-11页 |
| ·GaN基LED外延片结构 | 第11-12页 |
| ·LED器件仿真模拟的优势 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 2 氮化镓多量子阱结构的仿真理论基础 | 第14-30页 |
| ·纤锌矿能带结构的计算：k·p理论 | 第14-23页 |
| ·布洛赫(Bloch)定理 | 第14-15页 |
| ·纤锌矿的三能级模型 | 第15-21页 |
| ·氮化镓的量子阱能带 | 第21-23页 |
| ·氮化镓的极化效应 | 第23-28页 |
| ·氮化镓材料的极性 | 第23-24页 |
| ·自发极化和压电极化 | 第24-27页 |
| ·极化效应对GaN基LED性能的影响 | 第27-28页 |
| ·APSYS仿真计算软件简介 | 第28-30页 |
| 3 正序结构GaN基LED的光电特性模拟 | 第30-45页 |
| ·量子阱阱宽对正序垂直结构GaN基LED光电特性的影响 | 第31-38页 |
| ·量子阱阱宽对器件能带结构的影响 | 第32-33页 |
| ·量子阱阱宽对器件载流子分布的影响 | 第33-34页 |
| ·量子阱阱宽对器件电学特性的影响 | 第34-35页 |
| ·量子阱阱宽对器件电致发光特性的影响 | 第35-38页 |
| ·量子阱阱内铟组分对正序垂直结构GaN基LED光电特性的影响 | 第38-44页 |
| ·铟组分对极化效应的影响 | 第38-41页 |
| ·铟组分对电学特性的影响 | 第41页 |
| ·铟组分对电致发光特性的影响 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4 倒序(P-side down)结构的GaN基LED的光电特性模拟 | 第45-60页 |
| ·量子阱阱宽对倒序结构GaN基LED光电特性的影响 | 第46-54页 |
| ·量子阱阱宽对极化效应的影响 | 第46-53页 |
| ·量子阱阱宽对器件电学特性的影响 | 第53页 |
| ·量子阱阱宽对器件电致发光特性的影响 | 第53-54页 |
| ·量子阱阱内铟组分对倒序结构GaN基LED光电特性的影响 | 第54-59页 |
| ·铟组分对极化效应的影响 | 第54-55页 |
| ·铟组分对电学特性的影响 | 第55-57页 |
| ·铟组分对电致发光特性的影响 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
