GaN基LED新型结构的外延生长和高效LED芯片的研制
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪言 | 第8-20页 |
| §1.1 引言 | 第8页 |
| §1.2 GaN基LED发展与现状 | 第8-14页 |
| §1.2.1 GaN基LED发展历史 | 第8-9页 |
| §1.2.2 GaN基LED近期研究进展 | 第9-14页 |
| §1.3. MOCVD法生长GaN基LED | 第14-19页 |
| §1.3.1 MOCVD概述 | 第15-16页 |
| §1.3.2 外延生长GaN基LED | 第16-19页 |
| §1.4 本课题研究内容和意义 | 第19-20页 |
| 第二章 新型GaN基LED外延生长 | 第20-35页 |
| §2.1 引言 | 第20-21页 |
| §2.2 实验生长外延片简介 | 第21-22页 |
| §2.3 实验相关仪器介绍 | 第22-24页 |
| §2.3.1 MOCVD简介 | 第22-23页 |
| §2.3.2 测试相关仪器简介 | 第23-24页 |
| §2.4 新型外延片测试与分析 | 第24-33页 |
| §2.4.1 外延片数据分析 | 第25-28页 |
| §2.4.2 裸芯及TO封装数据分析 | 第28-32页 |
| §2.4.3 可靠性分析 | 第32-33页 |
| §2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 大功率ODR LED光学模拟研究 | 第35-43页 |
| §3.1 引言 | 第35-36页 |
| §3.2 APSYS简述 | 第36-37页 |
| §3.2.1 理论基础 | 第37页 |
| §3.3 ODR LED光学模拟 | 第37-42页 |
| §3.3.1 ODR LED三维结构模拟 | 第38-39页 |
| §3.3.2 模拟结果分析 | 第39-42页 |
| §3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 大功率ODR LED实验研究 | 第43-59页 |
| §4.1 实验样品及封装 | 第43-45页 |
| §4.2 测试仪器 | 第45-47页 |
| §4.2.1 测试仪器简介 | 第45-47页 |
| §4.3 测试结果与分析 | 第47-52页 |
| §4.3.1 光谱测试 | 第48-49页 |
| §4.3.2 电学性能测试 | 第49-50页 |
| §4.3.3 光学性能测试 | 第50页 |
| §4.3.4 色参数性能测试 | 第50-52页 |
| §4.4 可靠性能分析 | 第52-57页 |
| §4.4.1. 寿命的结果与分析 | 第53-54页 |
| §4.4.2. 老化中的光、色、电参数分析 | 第54-57页 |
| §4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-67页 |
| 论文总结与展望 | 第67-68页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第68页 |
| 待发表文章 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
