| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-23页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 半导体光谱研究的相关理论 | 第23-44页 |
| ·晶格动振动光谱学相关的基础理论 | 第24-33页 |
| ·晶格振动动力学基础理论 | 第24-28页 |
| ·晶格振动的拉曼光谱学 | 第28-32页 |
| ·拉曼散射的选择定则及其配置 | 第32-33页 |
| ·半导体及其光散射基础理论 | 第33-43页 |
| ·半导体的能带理论 | 第33-35页 |
| ·半导体中的激子理论 | 第35-37页 |
| ·半导体带间光跃迁基本理论 | 第37-40页 |
| ·半导体发光过程基本理论 | 第40-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 ZnO 基薄膜材料的制备和表征 | 第44-72页 |
| ·ZnO 材料基本性质概述 | 第44-47页 |
| ·ZnO 材料的缺陷和掺杂 | 第47-50页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法概述 | 第50-52页 |
| ·ZnO 基薄膜的制备过程及表征 | 第52-65页 |
| ·半导体光谱实验仪器介绍 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 第四章 半导体材料变温拉曼光谱研究 | 第72-109页 |
| ·纤锌矿结构ZnO 的晶格振动 | 第72-75页 |
| ·半导体变温拉曼光谱理论模型 | 第75-78页 |
| ·P 型ZnO 薄膜变温拉曼光谱研究 | 第78-91页 |
| ·P 型ZnO 薄膜室温拉曼光谱性质 | 第78-84页 |
| ·P 型ZnO 薄膜变温拉曼光谱研究 | 第84-91页 |
| ·纤锌矿Zn_(1-x)Mg_xO 薄膜变温拉曼光谱研究 | 第91-98页 |
| ·三元化合物NiPdSi 薄膜变温拉曼光谱研究 | 第98-106页 |
| 参考文献 | 第106-109页 |
| 第五章 三元 ZnMgO 薄膜共振拉曼光谱研究 | 第109-126页 |
| ·共振拉曼光谱简介 | 第109-114页 |
| ·共振拉曼散射原理 | 第109-111页 |
| ·共振拉曼散射研究的意义 | 第111-114页 |
| ·修正的随机元素同向位移模型 | 第114-117页 |
| ·三元ZnMgO 共振拉曼光谱研究 | 第117-125页 |
| 参考文献 | 第125-126页 |
| 第六章 半导体 ZnO 薄膜发光光谱研究 | 第126-141页 |
| ·光致发光的物理基础 | 第126-128页 |
| ·P 型ZnO 薄膜光致发光光谱的研究 | 第128-135页 |
| ·ZnO 基异质结发光二级管的发光性质 | 第135-139页 |
| 参考文献 | 第139-141页 |
| 第七章 结论 | 第141-143页 |
| 致谢 | 第143-144页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录及奖励 | 第144-147页 |