| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| §1.1 引言 | 第8页 |
| §1.2 GaN的基本性质、应用和掺杂问题研究现状 | 第8-11页 |
| §1.2.1 GaN的结构 | 第8-9页 |
| §1.2.2 GaN的电学性质 | 第9页 |
| §1.2.3 GaN的光学性质 | 第9页 |
| §1.2.4 GaN器件的应用 | 第9-10页 |
| §1.2.5 GaN掺杂问题研究现状 | 第10-11页 |
| §1.3 本论文的主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 第一性原理方法简介 | 第12-17页 |
| §2.1 第一性原理方法 | 第12页 |
| §2.2 密度泛函理论 | 第12-16页 |
| §2.2.1 绝热近似 | 第12-13页 |
| §2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第13页 |
| §2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第13-14页 |
| §2.2.4 交换关联能 | 第14-15页 |
| §2.2.5 赝势方法 | 第15-16页 |
| §2.3 ABINIT软件包简介 | 第16-17页 |
| 第三章 Al掺杂GaN系统电子结构和光学性质的研究 | 第17-24页 |
| §3.1 引言 | 第17页 |
| §3.2 模型与参数选择 | 第17-18页 |
| §3.3 纯GaN系统的电子结构 | 第18-19页 |
| §3.4 Ga1-xAlxN系统的电子结构和光学性质 | 第19-23页 |
| §3.4.1 晶格常数 | 第19-20页 |
| §3.4.2 电子结构 | 第20-22页 |
| §3.4.3 光学性质 | 第22-23页 |
| §3.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第四章 Mg-O共掺杂GaN系统电子结构的第一性原理研究 | 第24-30页 |
| §4.1 引言 | 第24页 |
| §4.2 模型与参数选择 | 第24-25页 |
| §4.3 计算结果与讨论 | 第25-29页 |
| §4.3.1 纯GaN系统的电子结构 | 第25-26页 |
| §4.3.2 Mg掺杂GaN系统的电子结构 | 第26-27页 |
| §4.3.3 Mg-O共掺杂GaN系统的电子结构 | 第27-29页 |
| §4.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第五章 总结和展望 | 第30-32页 |
| §5.1 总结 | 第30页 |
| §5.2 展望 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 在校期间完成的论文 | 第36-37页 |
| 致谢 | 第37页 |
