| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-36页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·存储器的种类及其发展 | 第11-14页 |
| ·三类存储器 | 第11-13页 |
| ·相变存储器 | 第13-14页 |
| ·相变存储材料 | 第14-16页 |
| ·相变材料的种类 | 第14-15页 |
| ·GeSbTe体系的相变材料 | 第15-16页 |
| ·非晶材料及其结构 | 第16-24页 |
| ·非晶材料的发展及其特性 | 第17-20页 |
| ·非晶体的结构及结构模型 | 第20-24页 |
| ·GeSbTe体系的晶体/非晶结构 | 第24-33页 |
| ·GeSbTe体系亚稳相的结构 | 第24-26页 |
| ·GeSbTe体系的非晶结构及相变机制 | 第26-33页 |
| ·本课题的研究目的和研究内容 | 第33-36页 |
| 第2章 实验原理及方法 | 第36-50页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·透射电子显微镜的基本结构 | 第37-40页 |
| ·透射电子显微学的主要技术方法及其基本原理 | 第40-46页 |
| ·选区电子衍射 | 第40页 |
| ·振幅衬度成像和(高分辨)相位衬度成像 | 第40-42页 |
| ·X射线能量色散谱 | 第42-43页 |
| ·电子能量损失谱 | 第43-45页 |
| ·透射电镜设备 | 第45-46页 |
| ·磁控溅射法制备非晶态相变材料以及透射电镜样品制备 | 第46-50页 |
| ·磁控溅射 | 第46-48页 |
| ·激光打点设备及光路图 | 第48页 |
| ·TEM样品制备 | 第48-50页 |
| 第3章 径向分布函数方法和逆蒙特卡洛方法研究 | 第50-74页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·非晶结构研究技术 | 第50-56页 |
| ·电子衍射径向分布函数方法研究 | 第56-69页 |
| ·RDF函数形式及截止效应的消除 | 第56-57页 |
| ·SAED数据采集和处理 | 第57-58页 |
| ·电子的散射因子 | 第58页 |
| ·F(s)和i(s)的计算方法 | 第58-60页 |
| ·衍射强度I(s)的背底扣除 | 第60-62页 |
| ·方法验证—多晶金的RDF | 第62-63页 |
| ·物理意义 | 第63-64页 |
| ·RDF方法可靠性研究 | 第64-68页 |
| ·RDF程序 | 第68-69页 |
| ·逆蒙特卡洛方法研究 | 第69-72页 |
| ·RMC简介 | 第69页 |
| ·RMC基本算法 | 第69-71页 |
| ·RMC约束方法 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第4章 磁控溅射GST表征和激光淬火GST制备方法研究 | 第74-90页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·磁控溅射功率对GST薄膜的影响 | 第74-78页 |
| ·磁控溅射GST薄膜的原位退火研究 | 第78-83页 |
| ·激光淬火非晶样品的制备 | 第83-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第5章 沉积态非晶Ge_2Sb_2Te_5结构解析 | 第90-102页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·多组Sa GST的i(s)和RDF数据比较 | 第91-92页 |
| ·实验方法及数据处理 | 第92页 |
| ·基本结构信息 | 第92-93页 |
| ·局域原子构型和原子团簇研究 | 第93-96页 |
| ·错键(Wrong bond) | 第93-94页 |
| ·局域原子构型(local motif)和原子团簇(cluster) | 第94-96页 |
| ·非晶结构模型中空穴及其分布研究 | 第96-99页 |
| ·空穴的计算方法 | 第96-97页 |
| ·空穴的分布及体积分数 | 第97-99页 |
| ·局域序参数q | 第99-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 第6章 激光淬火非晶Ge_2Sb_2Te_5结构解析 | 第102-114页 |
| ·引言 | 第102-103页 |
| ·La GST与Sa GST结构异同的RDF比较 | 第103-104页 |
| ·La GST的结构及与Sa GST结构的差异 | 第104-112页 |
| ·RMC模拟参数及基本结构信息 | 第105-107页 |
| ·键长变化及Ge/SbTe键比例增加 | 第107-109页 |
| ·局域原子构型的变化 | 第109-110页 |
| ·原子团簇 | 第110-111页 |
| ·空位尺寸减小及总体积分数减小 | 第111-112页 |
| ·本章小结 | 第112-114页 |
| 结论 | 第114-118页 |
| 参考文献 | 第118-128页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
