| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 N极性GaN基材料的基本特性 | 第11-16页 |
| 1.1.1 GaN基材料的基本特性及其极性 | 第11-14页 |
| 1.1.2 N极性GaN材料的极化效应及异质结特性 | 第14-16页 |
| 1.2 N极性GaN基材料的应用 | 第16-17页 |
| 1.3 N极性GaN基材料的制备现状 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的研究内容及创新点 | 第18-21页 |
| 第二章 N极性GaN外延薄膜的生长与表征方法 | 第21-32页 |
| 2.1 MOCVD生长技术 | 第21-24页 |
| 2.2 N极性GaN基外延薄膜的表征方法 | 第24-31页 |
| 2.2.1 紫外可见分光光度计 | 第24-25页 |
| 2.2.2 霍尔效应测试仪 | 第25-27页 |
| 2.2.3 高分辨X射线衍射仪 | 第27-29页 |
| 2.2.4 光致发光光谱(PL) | 第29-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 MOCVD外延生长N极性GaN外延薄膜 | 第32-54页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 衬底取向对N极性GaN外延薄膜性能的影响 | 第32-37页 |
| 3.3 氮化条件对N极性GaN外延薄膜性能的影响 | 第37-44页 |
| 3.4 GaN成核层生长条件对N极性GaN外延薄膜性能的影响 | 第44-46页 |
| 3.5 生长Ⅴ/Ⅲ比对N极性GaN外延薄膜性能的影响 | 第46-48页 |
| 3.6 生长厚度对N极性GaN外延薄膜性能的影响 | 第48-49页 |
| 3.7 N极性GaN外延薄膜的极性判定 | 第49-52页 |
| 3.8 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 改进的流量调制技术生长N极性GaN外延薄膜 | 第54-70页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 流量调制技术 | 第54-61页 |
| 4.2.1 流量调制技术的研发与应用 | 第54-58页 |
| 4.2.2 流量调制技术生长N极性GaN外延薄膜 | 第58-60页 |
| 4.2.3 流量调制技术生长N极性GaN外延薄膜的表征 | 第60-61页 |
| 4.3 改进的流量调制技术 | 第61-62页 |
| 4.4 改进的流量调制技术生长的N极性GaN外延薄膜的表征 | 第62-69页 |
| 4.4.1 N极性GaN外延薄膜的XRC测试结果 | 第63-64页 |
| 4.4.2 N极性GaN外延薄膜的PL测试结果 | 第64-65页 |
| 4.4.3 N极性GaN外延薄膜的Hall测试结果 | 第65-66页 |
| 4.4.4 改进的流量调制技术生长的GaN成核层的AFM测试结果 | 第66-68页 |
| 4.4.5 改进的流量调制技术生长GaN成核层的机理分析 | 第68-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 MOCVD外延生长N极性AlGaN外延薄膜 | 第70-79页 |
| 5.1 引言 | 第70页 |
| 5.2 氮化时间对N极性AlGaN外延薄膜性能的影响 | 第70-78页 |
| 5.2.1 N极性AlGaN外延薄膜的生长 | 第71-72页 |
| 5.2.2 N极性AlGaN外延薄膜的表面特性 | 第72-73页 |
| 5.2.3 N极性AlGaN外延薄膜的XRD测试结果 | 第73-74页 |
| 5.2.4 N极性AlGaN外延薄膜的Hall效应测试结果 | 第74-76页 |
| 5.2.5 N极性AlGaN外延薄膜的PL测试结果 | 第76-78页 |
| 5.3 本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 总结与展望 | 第79-82页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第79-80页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第87页 |
