0.13微米闪存工艺平台开发与优化研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
第一章 引言	第5-12页
·不挥发存储器的概述	第5-8页
·存储器与不挥发存储器	第5页
·存储器的分类	第5-7页
·非挥发存储器的特性	第7-8页
·闪存存储器的种类	第8-12页
·NOR型闪存存储器	第8-9页
·NAND型闪存存储器	第9-10页
·NOR与NAND型存储器的比较	第10-11页
·0.13微米NOR Flash的的构架	第11-12页
第二章 不挥发存储器器件结构与原理	第12-25页
·不挥发存储器的结构	第12-15页
·浮栅存储器的结构	第12-14页
·电荷俘获型存储器的结构	第14-15页
·不挥发存储器的工作方式	第15-18页
·不挥发存储器工作原理	第15页
·不挥发存储器工作的机制	第15-18页
·0.13微米NOR Flash器件的结构与特性	第18-25页
·0.13微米flash器件沿位线方向的结构	第18-20页
·沿沟道宽度方向的结构	第20-22页
·器件的主要特性	第22-25页
第三章 0.13微米Flash工艺平台的开发	第25-33页
·设计规则的制定	第25-30页
·外围电路的设计规则	第25-28页
·存储单元的设计规则	第28-29页
·边界的设计规则	第29-30页
·工艺流程的建立	第30-33页
·主工艺流程顺序的设计	第30-31页
·各流程间的相互影响及改善	第31-33页
第四章 工艺平台的优化与可靠性	第33-50页
·0.13微米flash工艺的优化	第33-47页
·隧道氧化层生长条件的优化	第33-35页
·隧道氧化层形貌的优化	第35-46页
·接触孔与叠栅的交叠误差优化	第46-47页
·0.13微米flash工艺的可靠性	第47-50页
第五章 总结与展望	第50-52页
参考文献	第52-55页
致谢	第55-56页