磁控溅射法制备Zr-Cu合金薄膜
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1 章 绪论 | 第8-31页 |
| ·非晶合金的研究及其发展 | 第8-10页 |
| ·非晶形成机制和经验规律 | 第10-14页 |
| ·非晶形成理论 | 第10-12页 |
| ·关于二元非晶态合金形成的经验规则 | 第12-14页 |
| ·非晶薄膜 | 第14-15页 |
| ·薄膜制备条件简述 | 第14页 |
| ·薄膜制备方法简介 | 第14-15页 |
| ·溅射法制备薄膜的理论基础 | 第15-21页 |
| ·溅射现象及机理 | 第15-16页 |
| ·辉光放电 | 第16-18页 |
| ·溅射镀膜的特点和分类 | 第18-21页 |
| ·磁控溅射 | 第21-24页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第21-23页 |
| ·平面磁控溅射装置 | 第23-24页 |
| ·薄膜的非自发形核及生长 | 第24-26页 |
| ·溅射沉积时薄膜的生长过程 | 第26-28页 |
| ·薄膜材料的研究及其发展 | 第28-29页 |
| ·本文的选题意义及研究内容 | 第29-31页 |
| 第2 章 实验设备和方法 | 第31-39页 |
| ·主要实验设备 | 第31-32页 |
| ·主要测试分析仪器和方法 | 第32-36页 |
| ·XRD 衍射仪表征薄膜结构 | 第32-35页 |
| ·XP-2TM 型表面光度仪(台阶仪)测量膜厚 | 第35-36页 |
| ·其他试验设备及仪器 | 第36-37页 |
| ·实验步骤 | 第37-39页 |
| 第3 章 Zr-Cu 合金薄膜的制备 | 第39-47页 |
| ·靶材成分及结构分析 | 第39-40页 |
| ·薄膜成分分析 | 第40-43页 |
| ·溅射参数对薄膜沉积速率的影响 | 第43-45页 |
| ·溅射时间对沉积速率的影响 | 第43-44页 |
| ·溅射功率对沉积速率的影响 | 第44-45页 |
| ·衬底温度对沉积速率的影响 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第4 章 溅射参数对薄膜结构的影响 | 第47-67页 |
| ·组元成分的影响 | 第47-52页 |
| ·衬底温度的影响 | 第52-55页 |
| ·偏压溅射的影响 | 第55-56页 |
| ·基片晶向的影响 | 第56-57页 |
| ·薄膜厚度的影响 | 第57-58页 |
| ·退火处理的影响 | 第58-60页 |
| ·Zr-Cu 薄膜的透射电子显微镜观察 | 第60-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 作者简介 | 第74页 |
