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高压倍加器14MeV实际中子场研究

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
第一章 引言第6-21页
   ·中子源第6-10页
   ·中子注量(率)测量第10-18页
     ·标准截面法第10-13页
     ·伴随事件法第13-18页
   ·飞行时间法第18-19页
   ·论文的目的、意义第19-20页
   ·论文的主要内容第20-21页
第二章 实验测量及数据处理第21-40页
   ·实验测量第21-31页
     ·高压倍加器第22-23页
     ·T(d,n)~1He反应第23-24页
     ·探测器第24-28页
     ·实验电子学和数据获取第28-30页
     ·实验过程第30-31页
   ·数据处理第31-40页
     ·中子探测器相关数据的处理第32-35页
     ·金硅面垒探测器相关数据的处理第35页
     ·中子监视器相关数据的处理第35-40页
第二章 模拟计算第40-60页
   ·TARGET及MCNP程序简介第40-45页
     ·TARGET程序第40-42页
     ·MCNP程序第42-45页
   ·模拟计算第45-60页
     ·TARGET模拟计算第45-53页
     ·MCNP模拟计算第53-60页
第四章 结果分析第60-63页
第五章 结论第63-64页
   ·对论文工作的总结第63页
   ·对以后相关工作的建议第63-64页
附录A TARGET模拟计算的有关文件第64-73页
附录B MCNP计算的有关文件第73-76页
附录C 实验数据处理结果第76-80页
参考文献第80-82页
读研期间的工作第82-83页
致谢第83页

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