| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一部分 退火及铽掺杂对ZnO薄膜结构，电学和发光特性的影响 | 第11-64页 |
| 第一章 绪言 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·氧化锌的应用 | 第11-12页 |
| ·薄膜生长的基础理论及ZnO的晶体结构 | 第12-16页 |
| ·ZnO的研究现状与发展趋势 | 第16-18页 |
| ·本论文研究工作简介 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备及其性质表征 | 第21-37页 |
| ·用射频溅射制备ZnO薄膜 | 第21-26页 |
| ·ZnO薄膜制备方法简介 | 第21-25页 |
| ·本研究实验仪器概况及ZnO薄膜的制备条件 | 第25-26页 |
| ·样品的表征方法 | 第26-33页 |
| ·X射线衍射谱分析(XRD) | 第26-28页 |
| ·用AFM对ZnO晶体的形貌观察 | 第28页 |
| ·霍耳效应测量简介 | 第28-30页 |
| ·ZnO薄膜在可见光波段透过率测量 | 第30-31页 |
| ·用荧光分光光度计测量ZnO薄膜的光致发光 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 退火对氧化锌薄膜结构及发光特性的影响 | 第37-49页 |
| ·退火对多晶氧化锌薄膜结构特性的影响 | 第37-42页 |
| ·不同退火温度的XRD谱分析及晶粒尺寸随退火温度的变化 | 第37-39页 |
| ·退火对ZnO薄膜形貌的影响 | 第39-41页 |
| ·退火对ZnO薄膜应力的影响 | 第41-42页 |
| ·ZnO薄膜的发光特性 | 第42-46页 |
| ·退火对ZnO薄膜发光特性的影响 | 第43-44页 |
| ·ZnO薄膜的蓝光发射与填隙Zn的关系 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 ZnO：Tb透明导电薄膜的制备及发光特性 | 第49-63页 |
| ·ZnO：Tb薄膜中的电学缺陷 | 第49-51页 |
| ·ZnO：Tb透明导电薄膜的制备 | 第51-57页 |
| ·Tb掺杂量对ZnO结构特性的影响 | 第52-53页 |
| ·Tb掺杂量对ZnO电学特性的影响 | 第53-54页 |
| ·衬底温度对ZnO电学特性的影响 | 第54-56页 |
| ·Tb掺杂量对ZnO透过率的影响 | 第56-57页 |
| ·ZnO：Tb透明导电薄膜的发光特性 | 第57-59页 |
| ·发光二极管简介 | 第57页 |
| ·ZnO：Tb薄膜的发光分析 | 第57-59页 |
| ·ZnO：Tb在白色发光二极管中的应用展望 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 第二部分 高K栅介质Er_2O_3薄膜的制备及特性研究 | 第64-139页 |
| 第一章 绪论 | 第64-84页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·用高k材料代替SiO_2作为栅介质的必要性 | 第64-70页 |
| ·MOSFET的按比例缩小 | 第64-67页 |
| ·栅介质的按比例缩小 | 第67-68页 |
| ·栅介质的漏电流和功耗率 | 第68-69页 |
| ·用高K材料代替SiO_2作为栅介质 | 第69-70页 |
| ·高K材料的特性需求 | 第70-76页 |
| ·高介电常数与高K/Si界面势垒 | 第70-73页 |
| ·高K材料与Si的热稳定性 | 第73-75页 |
| ·高K材料与Si的界面质量 | 第75-76页 |
| ·高K材料的薄膜形态 | 第76页 |
| ·高K材料Er_2O_3物理特性及其研究现状 | 第76-78页 |
| ·本论文研究工作简介 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 第二章 Er_2O_3薄膜的生长及其性质表征 | 第84-101页 |
| ·分子束外延技术 | 第84-85页 |
| ·设备 | 第85-86页 |
| ·薄膜生长 | 第86-90页 |
| ·Si片清洗 | 第87-88页 |
| ·Er_2O_3薄膜的生长 | 第88-90页 |
| ·表征技术 | 第90-100页 |
| ·原位检测装置 | 第90-94页 |
| ·材料特性测试 | 第94-100页 |
| 参考文献 | 第100-101页 |
| 第三章 Er_2O_3单晶薄膜的外延生长 | 第101-110页 |
| ·实验方法 | 第101-102页 |
| ·单晶Er_2O_3在Si(111)衬底上的生长 | 第102-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-110页 |
| 第四章 Er_2O_3相对于Si的能带偏移 | 第110-118页 |
| ·实验方法 | 第111页 |
| ·结果和讨论 | 第111-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-118页 |
| 第五章 非晶Er_2O_3薄膜的生长及结构与电学特性研究 | 第118-137页 |
| ·样品的制备 | 第118-119页 |
| ·样品成分与结构特性分析 | 第119-124页 |
| ·高真空退火样品的电学特性分析 | 第124-125页 |
| ·氧气氛退火对非晶Er_2O_3薄膜结构及电学特性的影响 | 第125-133页 |
| ·结构特性分析 | 第126-129页 |
| ·电学特性分析 | 第129-132页 |
| ·结构模型 | 第132-133页 |
| ·本章小结 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-137页 |
| 第六章 结论 | 第137-139页 |
| 结论与展望 | 第139-142页 |
| 博士期间发表的论文 | 第142-144页 |
| 博士期间所获奖励 | 第144-145页 |
| 致谢 | 第145-146页 |
