| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| ·长周期光纤光栅的制作研究现状 | 第10-19页 |
| ·光纤光栅的制作历史 | 第10-11页 |
| ·光纤光栅的分类 | 第11-12页 |
| ·长周期光纤光栅的制作方法 | 第12-19页 |
| ·长周期光纤光栅的应用 | 第19-20页 |
| ·长周期光纤光栅在通信方面的应用 | 第19-20页 |
| ·长周期光纤光栅在传感方面的应用 | 第20页 |
| ·本课题的选题意义和研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 长周期光纤光栅的理论研究 | 第22-48页 |
| ·光纤中模式场理论 | 第22-27页 |
| ·光纤中的基本电磁场 | 第22-23页 |
| ·求解阶越光纤的电磁场方程 | 第23-25页 |
| ·导波模的特征方程 | 第25-26页 |
| ·弱导近似 | 第26-27页 |
| ·阶越单模光纤纤芯基模和包层模模式场的分析计算 | 第27-34页 |
| ·纤芯基模模式场解 | 第27-28页 |
| ·包层模式场解 | 第28-34页 |
| ·光纤光栅耦合模理论 | 第34-47页 |
| ·光栅谐振波长的简单估算 | 第34-41页 |
| ·光栅谐振波长的准确估计 | 第41-43页 |
| ·光谱模拟方法 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第3章 电子辐照二氧化硅研究进展 | 第48-57页 |
| ·辐照历史回顾 | 第48-49页 |
| ·电子辐照形成缺陷 | 第49-50页 |
| ·缺陷的产生 | 第49页 |
| ·缺陷退火 | 第49-50页 |
| ·缺陷产生的影响因素 | 第50页 |
| ·缺陷的观察方法 | 第50页 |
| ·电子辐照产生错位的阈值 | 第50-51页 |
| ·辐照深度计算 | 第51页 |
| ·二氧化硅材料折射率变化原因 | 第51-52页 |
| ·电子辐照制作波导 | 第52-54页 |
| ·光波导制作历史 | 第52页 |
| ·辐照宽度的研究 | 第52页 |
| ·水解沉积与热生成二氧化硅中制作光波导比较 | 第52-53页 |
| ·电子辐照掺锗硅的研究 | 第53-54页 |
| ·折射率变化计算 | 第54-55页 |
| ·光波导折射率变化测量 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 电子辐照制作光纤光栅最佳能量计算 | 第57-67页 |
| ·电子辐照二氧化硅产生的两种结果 | 第57-58页 |
| ·电子辐照光纤问题的模型 | 第58页 |
| ·二氧化硅的等价原子计算 | 第58-59页 |
| ·能量沉积计算概述 | 第59-60页 |
| ·能量背向散射系数 | 第60页 |
| ·电子入射产生光子的系数 | 第60页 |
| ·入射电子在二氧化硅中的连续穿透深度，及外推范围计算 | 第60-62页 |
| ·电子连续穿透深度的计算 | 第61页 |
| ·电子外推范围的计算 | 第61-62页 |
| ·能量沉积计算机模拟 | 第62-63页 |
| ·纤芯处能量沉积最多时所需电子初始能量的计算 | 第63页 |
| ·碰撞和韧致辐射导致的能量沉积比较 | 第63-64页 |
| ·讨论 | 第64-66页 |
| ·入射电子在深度z处的能量 | 第64-65页 |
| ·数量传输系数 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 电子辐照法制作长周期光纤光栅的实验研究 | 第67-75页 |
| ·掩模板制备 | 第67-69页 |
| ·设计掩模板理论理论依据 | 第67-68页 |
| ·掩模板制备 | 第68-69页 |
| ·电子辐照实验 | 第69-72页 |
| ·实验设备和材料 | 第69页 |
| ·光栅制作方法 | 第69-70页 |
| ·实验数据及实验结果 | 第70页 |
| ·可能影响制作光栅的因素分析 | 第70-72页 |
| ·实验观察电子辐照后光纤结构变化 | 第72-73页 |
| ·以后的改进方案 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-85页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的成果 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |