TL16C554芯片的逆向设计
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-16页 |
| ·课题研究的意义和目的 | 第11页 |
| ·集成电路发展国内外文献综述 | 第11-14页 |
| ·国外研究现状 | 第12-13页 |
| ·国内研究现状 | 第13-14页 |
| ·集成电路逆向研究的必要性 | 第14页 |
| ·课题来源及主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 TL16C554 工作原理分析 | 第16-33页 |
| ·FIFO 控制寄存器（FCR） | 第20-22页 |
| ·FIFO 中断模式操作 | 第21-22页 |
| ·FIFO 转换模式操作 | 第22页 |
| ·中断使能寄存器（IER） | 第22页 |
| ·中断识别寄存器（IIR） | 第22-23页 |
| ·线性控制寄存器（LCR） | 第23-25页 |
| ·线性状态寄存器（LSR） | 第25-26页 |
| ·调制解调控制寄存器（MCR） | 第26-27页 |
| ·调制解调状态寄存器（MSR） | 第27-29页 |
| ·编程 | 第29页 |
| ·可编程波特率发生器 | 第29-30页 |
| ·接收器 | 第30页 |
| ·复位 | 第30页 |
| ·RXRDY 操作 | 第30-31页 |
| ·暂存寄存器 | 第31-32页 |
| ·TXRDY 操作 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 CMOS 数字集成电路设计原理 | 第33-43页 |
| ·CMOS 反相器 | 第33-35页 |
| ·CMOS 反相器的结构和基本特性 | 第33-34页 |
| ·CMOS 输出缓冲器(反相器链)的设计 | 第34-35页 |
| ·CMOS 传输门 | 第35-41页 |
| ·NMOS 传输门特性 | 第35-37页 |
| ·PMOS 传输门特性 | 第37页 |
| ·CMOS 传输门 | 第37-40页 |
| ·基于CMOS 传输门的锁存电路和触发电路 | 第40-41页 |
| ·时序电路设计 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 仿真 | 第43-54页 |
| ·硬件描述语言和Verilog－XL 仿真器简介 | 第43-46页 |
| ·Verilog HDL 硬件描述语言简介 | 第43-45页 |
| ·Verilog－XL 仿真器 | 第45-46页 |
| ·子单元电路仿真 | 第46-52页 |
| ·异或门电路仿真 | 第46-48页 |
| ·选择器电路仿真 | 第48-50页 |
| ·D 触发器仿真 | 第50-52页 |
| ·TL16C554 的功能仿真 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 版图设计和工艺 | 第54-61页 |
| ·版图设计 | 第54-60页 |
| ·版图设计规则 | 第54-55页 |
| ·闩锁效应 | 第55-57页 |
| ·版图实现 | 第57页 |
| ·物理验证 | 第57-59页 |
| ·后仿真 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 附录 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 工程硕士研究生个人简历 | 第70页 |
