| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-14页 |
| §1.1 课题的研究背景及其意义 | 第8-9页 |
| §1.2 常压低温等离子体去胶技术的研究现状 | 第9-12页 |
| §1.2.1 等离子体炬去胶技术 | 第9-10页 |
| §1.2.2 电晕放电等离子体去胶技术 | 第10页 |
| §1.2.3 常压射频冷等离子体去胶现状 | 第10-12页 |
| §1.3 本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 等离子体的生成方法 | 第14-23页 |
| §2.1 等离子体简介 | 第14-16页 |
| §2.2 等离子体发生原理 | 第16-19页 |
| §2.3 射频电源 | 第19-21页 |
| §2.4 影响放电的一些因素 | 第21-22页 |
| §2.5 小结 | 第22-23页 |
| 第三章 常压射频冷等离子体清洗的物理特性研究 | 第23-37页 |
| §3.1 常压射频冷等离子体喷枪的物理特性 | 第23-31页 |
| §3.1.1 放电特性 | 第24-29页 |
| §3.1.2 温度特性 | 第29-31页 |
| §3.2 浸入式常压射频冷等离子体设备的物理特性 | 第31-36页 |
| §3.2.1 放电特性 | 第32-36页 |
| §3.3 小结 | 第36-37页 |
| 第四章 常压射频冷等离子体去除光刻胶实验研究 | 第37-50页 |
| §4.1 光刻胶去胶原理 | 第37-38页 |
| §4.2 实验数据的分析方法 | 第38-39页 |
| §4.3 输入功率对去胶速率的影响 | 第39-41页 |
| §4.4 衬底温度对去胶速率的影响 | 第41-42页 |
| §4.5 气体流量对去胶速率的影响 | 第42-46页 |
| §4.5.1 氧气流量对去胶速率的影响 | 第42-44页 |
| §4.5.2 氩气流量对去胶速率的影响 | 第44-45页 |
| §4.5.3 氧气与氩气百分比固定时，气体流量对去胶速率的影响 | 第45-46页 |
| §4.6 清洗结果分析 | 第46-47页 |
| §4.7 清洗离子注入后的光刻胶的实验 | 第47页 |
| §4.8 分别用He／O_2和Ar／O_2做工作气体，对聚酰亚胺的去胶速率比较 | 第47-49页 |
| §4.9 小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结 | 第50-52页 |
| §5.1 总结 | 第50页 |
| §5.2 工作展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 硕士期间发表论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 声明 | 第57页 |