矩形贴片微带天线直线阵优化的初步研究
| 第一章 绪论 | 第1-11页 |
| 1．1 引言 | 第7-9页 |
| 1．2 本文研究内容的意义 | 第9页 |
| 1．3 本文所做的工作 | 第9-10页 |
| 1．4 本文主要内容 | 第10-11页 |
| 第二章 微带天线的基本原理 | 第11-20页 |
| 2．1 微带天线的工作原理 | 第11-16页 |
| 2．1．1 微带天线的辐射机理 | 第11-12页 |
| 2．1．2 微带天线的分析方法 | 第12-16页 |
| 2．2 矩形贴片微带天线的结构和设计要求 | 第16-17页 |
| 2．3 矩形贴片微带天线性能分析 | 第17-19页 |
| 2．3．1 介质基板的选取 | 第17-18页 |
| 2．3．2 单元宽度 W的选取 | 第18页 |
| 2．3．3 单元长度 L的选取 | 第18页 |
| 2．3．4 基板尺寸的确定 | 第18页 |
| 2．3．5 微带线馈电时微带线宽度的确定 | 第18-19页 |
| 2．4 小结 | 第19-20页 |
| 第三章 FDTD在计算微带天线中的应用 | 第20-51页 |
| 3．1 FDTD方程 | 第20-29页 |
| 3．1．1 Maxwell方程 | 第20-22页 |
| 3．1．2 微商的差商近似 | 第22-23页 |
| 3．1．3 Yee氏网格 | 第23-24页 |
| 3．1．4 FDTD基本方程 | 第24-27页 |
| 3．1．5 非磁性媒质中归一化电场的差分方程 | 第27-29页 |
| 3．2 数值稳定性分析 | 第29-30页 |
| 3．3 误差分析 | 第30-31页 |
| 3．4 吸收边界条件 | 第31-36页 |
| 3．4．1 Mur二阶吸收边界条件 | 第32-36页 |
| 3．5 空气-介质交界面的处理 | 第36页 |
| 3．6 金属导体的处理 | 第36页 |
| 3．7 激励源分析 | 第36-37页 |
| 3．8 近场计算结果 | 第37-41页 |
| 3．9 近远场变换 | 第41-47页 |
| 3．10 近远场变换计算结果 | 第47-50页 |
| 3．11 小结 | 第50-51页 |
| 第四章 实数遗传算法对线阵旁瓣电平的优化 | 第51-79页 |
| 4．1 遗传算法的基本原理 | 第51-54页 |
| 4．1．1 遗传算法的优点 | 第51页 |
| 4．1．2 遗传算法组成要素 | 第51-53页 |
| 4．1．3 遗传算法的执行步骤 | 第53-54页 |
| 4．2 实数遗传算法 | 第54-56页 |
| 4．2．1 实数遗传算法与二进制遗传算法的比较 | 第54-55页 |
| 4．2．2 实数遗传算法的优点 | 第55-56页 |
| 4．3 实数遗传算法对直线阵旁瓣电平的优化 | 第56-78页 |
| 4．3．1 直线阵 | 第56-57页 |
| 4．3．2 互耦的影响 | 第57页 |
| 4．3．3 实数遗传算法对直线阵的优化 | 第57-78页 |
| 4．4 小结 | 第78-79页 |
| 结论 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-86页 |
| 攻读学位期间完成的学术论文 | 第86页 |
